【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制冷控制，具体涉及一种半导体激光器tec温度控制电路。
技术介绍
1、半导体制冷片(tec)是利用半导体材料的珀尔贴效应制成的一种片状器件，可通过改变电流方向来实现加热和制冷，是目前温度控制精度最高的一种温控器件。
2、而半导体激光器在使用过程中受温度的影响较大，所以半导体激光器tec温度控制电路在稳定半导体激光器工作参数中起到关键作用。目前市面上针对半导体激光器温度控制方案使用最多的仍为水冷散热模块和风冷散热模块。
3、然而，水冷模块需要的体积较大，对激光器核心部件的空间布局有一定影响，且大通道水冷热沉会造成温度分布不均以及热通量低等温度。风冷散热模块会导致散热过程中风噪较大，即便使用静音风扇，为达到散热目的，仍会产生风噪，对激光器的密封除尘以及整体的散热设计要求也较高。因此，如何进一步提供更优的半导体激光器的冷却方案是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种半导体激光器tec温度控制电路，其操作简单，可靠性强，其工作方式灵活，且绿色环保，不需要使用制冷剂，且能够根据半导体激光器的温度，实时调节电流输出，避免因持续输出大电流导致半导体制冷片(tec)持续大功率制冷，影响电路稳定性，从而提高工作效率，解决了如何进一步提供更优的半导体激光器的冷却方案的问题。
2、本技术解决上述技术问题的技术方案如下：
3、一种半导体激光器tec温度控制电路，包括供电模块11、大电流输出驱动电路12
4、所述温度测量电路14采集所述激光器ntc的当前温度值，并将所述当前温度值发送至所述微控制器13，所述微控制器13基于所述当前温度值输出pwm信号至所述大电流输出驱动电路12，所述大电流输出驱动电路12基于所述pwm信号开启/或关闭tec制冷片，从而对所述激光器ntc进行温度控制。
5、在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。
6、优选的，所述大电流输出驱动电路12包括：大电流驱动芯片u3、mos管q1和电容c5，所述大电流驱动芯片u3的vin脚与所述供电模块11的输出端连接，所述大电流驱动芯片u3的in脚与所述微控制器13的pwm脚连接，所述大电流驱动芯片u3的gnd脚与所述mos管q1的源极共同接地，所述大电流驱动芯片u3的out脚与所述mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的漏极与所述电容c5的一端共同接入所述tec制冷片，所述电容c5的另一端接地。
7、优选的，所述温度测量电路14包括：电阻r2、电容c6、运算放大器u4、电阻r3、电阻r4、电容c314和电阻r244，所述供电模块11的输出端分别与所述运算放大器u4的正电源端和电阻r3的一端连接，所述电阻r3的另一端与所述运算放大器u4的正输入端连接，所述运算放大器u4的正电源端与所述激光器ntc连接，所述运算放大器u4的负电源端接地，所述运算放大器u4的负输入端分别与所述电阻r4的一端、电容c314的一端和电阻r244的一端连接，所述电阻r4的另一端接地，所述电容c324的另一端和所电阻r244的另一共同与所述运算放大器u4的输出端连接，所述运算放大器u4的输出端通过电阻r2分别与所述微控制器13的temp脚和所述电容c6的一端连接，所述电容c6的另一端接地。
8、优选的，所述微控制器13包括：主控芯片u2、电容c1、电容c2、电阻r1和无源晶振y1，所述主控芯片u2的vcc脚与所述供电模块11的输出端连接，所述主控芯片u2的gnd脚接地，所述主控芯片u2的osc32＿out脚依次通过所述电阻r1、所述无源晶振y1的输入脚和输出脚连接着所述主控芯片u2的osc32＿in脚，所述无源晶振y1的输入脚通过所述电容c2接地，所述无源晶振y1的输出脚通过所述电容c1接地，所述无源晶振y1的两个接地交分别接地，所述主控芯片u2的pwm脚与所述大电流输出驱动电路12的大电流驱动芯片u3的in脚连接。
9、优选的，所述主控芯片u2的型号为stm32f103。
10、本技术的有益效果是：本技术的半导体激光器tec温度控制电路，通过大功率mosfet管驱动芯片，控制大电流输出驱动电路的输出，从而使半导体制冷片(tec)产生不同的制冷效果，使得半导体激光器的温度能够维持在其能够稳定工作的温度下(25℃)，并且设备内部散热系统能够达到热平衡。本技术的半导体激光器tec温度控制电路，除了其操作简单，可靠性强的优点之外，其工作方式灵活，且绿色环保，不需要使用制冷剂。并且能够根据半导体激光器的温度，实时调节电流输出，避免因持续输出大电流导致半导体制冷片(tec)持续大功率制冷，影响电路稳定性，从而提高工作效率。
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1.一种半导体激光器TEC温度控制电路，其特征在于，包括：供电模块(11)、大电流输出驱动电路(12)、微控制器(13)和温度测量电路(14)，所述供电模块(11)分别与所述大电流输出驱动电路(12)、所述微控制器(13)、所述温度测量电路(14)和TEC制冷片连接，所述温度测量电路(14)分别与所述微控制器(13)和激光器NTC连接，所述微控制器(13)与所述大电流输出驱动电路(12)连接，所述大电流输出驱动电路(12)与所述TEC制冷片连接；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器TEC温度控制电路，其特征在于，所述大电流输出驱动电路(12)包括：大电流驱动芯片U3、MOS管Q1和电容C5，所述大电流驱动芯片U3的VIN脚与所述供电模块(11)的输出端连接，所述大电流驱动芯片U3的IN脚与所述微控制器(13)的PWM脚连接，所述大电流驱动芯片U3的GND脚与所述MOS管Q1的源极共同接地，所述大电流驱动芯片U3的OUT脚与所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极与所述电容C5的一端共同接入所述TEC制冷片，所述电容C5的另一端接地。
3.根据权
4.根据权利要求1所述的半导体激光器TEC温度控制电路，其特征在于，所述微控制器(13)包括：主控芯片U2、电容C1、电容C2、电阻R1和无源晶振Y1，所述主控芯片U2的VCC脚与所述供电模块(11)的输出端连接，所述主控芯片U2的GND脚接地，所述主控芯片U2的OSC32＿OUT脚依次通过所述电阻R1、所述无源晶振Y1的输入脚和输出脚连接着所述主控芯片U2的OSC32＿IN脚，所述无源晶振Y1的输入脚通过所述电容C2接地，所述无源晶振Y1的输出脚通过所述电容C1接地，所述无源晶振Y1的两个接地交分别接地，所述主控芯片U2的PWM脚与所述大电流输出驱动电路(12)的大电流驱动芯片U3的IN脚连接。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器TEC温度控制电路，其特征在于，所述主控芯片U2的型号为STM32F103。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器tec温度控制电路，其特征在于，包括：供电模块(11)、大电流输出驱动电路(12)、微控制器(13)和温度测量电路(14)，所述供电模块(11)分别与所述大电流输出驱动电路(12)、所述微控制器(13)、所述温度测量电路(14)和tec制冷片连接，所述温度测量电路(14)分别与所述微控制器(13)和激光器ntc连接，所述微控制器(13)与所述大电流输出驱动电路(12)连接，所述大电流输出驱动电路(12)与所述tec制冷片连接；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器tec温度控制电路，其特征在于，所述大电流输出驱动电路(12)包括：大电流驱动芯片u3、mos管q1和电容c5，所述大电流驱动芯片u3的vin脚与所述供电模块(11)的输出端连接，所述大电流驱动芯片u3的in脚与所述微控制器(13)的pwm脚连接，所述大电流驱动芯片u3的gnd脚与所述mos管q1的源极共同接地，所述大电流驱动芯片u3的out脚与所述mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的漏极与所述电容c5的一端共同接入所述tec制冷片，所述电容c5的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器tec温度控制电路，其特征在于，所述温度测量电路(14)包括：电阻r2、电容c6、运算放大器u4、电阻r3、电阻r4、电容c314和电阻r244，所述供电模块(11)的输出端分别与所述运算放大器u4的正电源端和电阻r...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖敏，杨建辉，朱从荣，
申请(专利权)人：武汉芸禾光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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