一种平面型功率MOS器件制造技术

本技术公开了一种平面型功率MOS器件，包括：晶体管本体，固定连接于所述晶体管本体后端壁的一组过渡杆，固定连接于所述一组过渡杆后端壁的针脚，设置于一组所述针脚外部的防护套，其防护套经过两侧的固定机构与晶体管本体固定连接，设置于所述防护套内部的散热机构与绝缘机构，本技术，通过设置固定机构，在使用时，防护套的设置，能够避免针脚出现触碰产生弯折损坏，在将防护套安装时，将防护套套设在一组针脚的外部，并使防护套与晶体管本体对接，在L型板、伸缩杆、吸盘及弹簧的配合下，能使防护套固定设置在一组针脚的外部，起到了较好的防护作用，在遇到碰撞晃动的情况下，能够防止防护套脱离，防护性好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体是一种平面型功率mos器件。

技术介绍

1、功率mos场效应晶体管，即mosfet，其原意是：即以金属层(m)的栅极隔着氧化层(o)利用电场的效应来控制半导体(s)的场效应晶体管，在现今各种功率器件中，横向扩散mos半导体器件ldmos具有工作电压高，工艺相对简单，因此ldmos具有广阔的发展前景。在ldmos器件设计中，击穿电压和导通电阻一直都是人们设计此类器件时所关注的主要目标，外延层的厚度、掺杂浓度、漂移区长度是ldmos最重要的参数。可以通过增加漂移区的长度以提高击穿电压，但是这会增加芯片面积和导通电阻。耐压和导通电阻对于外延层的浓度和厚度的要求是矛盾的。高的击穿电压要求厚的轻掺杂外延层和长的漂移区，而低的导通电阻则要求薄的重掺杂外延层和短的区，因此必须选择最佳外延参数和漂移区长度，以便在满足一定的源漏击穿电压的前提下，得到最小的导通电阻。

2、现有的可参考授公告号为：cn217822774u的中国技术专利，其公开了一种平面型功率mos器件，通过设置加固套，加固套套在针脚的表面，对针脚进行保护，从而针脚不会因外力而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平面型功率MOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种平面型功率MOS器件，其特征在于，两个所述吸盘(503)之间为对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种平面型功率MOS器件，其特征在于，两个所述散热机构(6)包括：所述防护套(4)的内部固定连接有一组散热板(601)，所述防护套(4)的两侧壁均开设有一组散热孔(602)。

4.根据权利要求3所述的一种平面型功率MOS器件，其特征在于，一组所述散热板(601)为等距设置。

5.根据权利要求3所述的一种平面型功率MOS器件，其特征在于，两组所述散热孔(602)内侧均设...

【技术特征摘要】

1.一种平面型功率mos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种平面型功率mos器件，其特征在于，两个所述吸盘(503)之间为对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种平面型功率mos器件，其特征在于，两个所述散热机构(6)包括：所述防护套(4)的内部固定连接有一组散热板(601)，所述防护套(4)的两侧壁均开设有一组散热孔(602)。

4.根据权利要求3所述的一种平面型功率mos器件，其特征在于，一组所述散热板(601)为等距设置。

【专利技术属性】
技术研发人员：徐泽霖，刘轶亮，邹泽明，
申请(专利权)人：深圳优晶微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：

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