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本技术公开了一种平面型功率MOS器件，包括：晶体管本体，固定连接于所述晶体管本体后端壁的一组过渡杆，固定连接于所述一组过渡杆后端壁的针脚，设置于一组所述针脚外部的防护套，其防护套经过两侧的固定机构与晶体管本体固定连接，设置于所述防护套内部的...
该专利属于深圳优晶微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳优晶微电子科技有限公司授权不得商用。

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