【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种图像传感器。具体地，本专利技术构思涉及一种包括双竖直栅极的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可将光学图像转换为电信号。通常使用的图像传感器可包括电荷耦合器件(ccd)型图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)。图像传感器可包括按照二维(2d)矩阵形式布置的多个像素，并且像素中的每一个可根据光能输出图像信号。像素中的每一个可积累与通过光电转换元件入射的光的量对应的光电荷，并且可基于积累的光电荷输出像素信号。近年来，随着图像传感器的集成密度极大增加，像素的大小和像素电路的组件的大小显示出减小的趋势。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种包括双竖直栅极的图像传感器，双竖直栅极甚至可形成在细微像素区域中，具有改善的界面特性和噪声特性，并且防止或阻碍未对准的发生。
2、根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：双竖直栅极，其包括两个竖直部分和连接部分，两个竖直部分在第一方向上通过隔离区域彼此间隔开，两个竖直部分在第二方向上延伸至衬底中，连接部分在两个竖直部分上并且将两个竖直部分彼此连接，其中，第二方向垂直于第一方向；以及在竖直部分的侧表面上的器件隔离层，该侧表面在第一方向上延伸，其中，两个竖直部分中的每一个包括上竖直部分和下竖直部分，上竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第一倾角，下竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第二倾角，并且第一倾角与第二倾角不同。
3、根据本专利技术
4、根据本专利技术构思的另一示例实施例，提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：衬底；衬底的上部中的双竖直栅极；栅极电介质层，其围绕双竖直栅极的至少一部分；衬底中的双竖直栅极下方的光电转换元件；器件隔离层，其在衬底的上部中在第一方向上邻近于双竖直栅极，第一方向平行于衬底的顶表面；以及浮置扩散区，其邻近于衬底的上部中的双竖直栅极，其中，双竖直栅极包括：两个竖直部分，其通过隔离区域在第一方向上彼此隔开，两个竖直部分在第二方向上竖直地延伸至衬底中，其中,第二方向垂直于第一方向，以及连接部分，其在两个竖直部分上将两个竖直部分彼此连接，其中，两个竖直部分中的每一个包括上竖直部分和下竖直部分，上竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第一倾角，下竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第二倾角，其中，第二倾角与第一倾角不同，并且其中，上竖直部分的顶表面位于与器件隔离层的顶表面相同的竖直水平处，上竖直部分的底表面位于与器件隔离层的底表面相同的竖直水平处，并且上竖直部分接触器件隔离层。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有矩形。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有矩形，并且所述隔离区域的所述剖面在第三方向上的长度小于所述双竖直栅极在所述第三方向上的长度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有梯形。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有T形。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述连接部分的顶表面位于比所述器件隔离层的顶表面高的竖直水平处。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述连接部分包括不同的第一区和第二区，所述第一区与所述两个竖直部分重叠，并且所述连接部分的所述第二区的底表面位于比所述连接部分的所述第一区的底表面高的竖直水平处。
9.一种图像传感器，
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述隔离区域的顶表面位于与所述器件隔离层的顶表面相同的竖直水平处。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，
12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有矩形、梯形和T形中的任一种。
13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面在第三方向上的长度小于所述双竖直栅极在所述第三方向上的长度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
14.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述上竖直部分的邻近于所述器件隔离层的侧壁与在所述第一方向上延伸的所述线形成所述第一倾角，所述上竖直部分的邻近于所述隔离区域的侧壁与在所述第一方向上延伸的所述线形成第三倾角，并且所述第一倾角与所述第三倾角不同。
15.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述下竖直部分的邻近于所述器件隔离层的侧壁与在所述第一方向上延伸的所述线形成所述第二倾角，所述下竖直部分的邻近于所述隔离区域的侧壁与在所述第一方向上延伸的所述线形成第四倾角，并且所述第二倾角与所述第四倾角不同。
16.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述器件隔离层的底表面位于与所述下竖直部分的顶表面相同的竖直水平处。
17.一种图像传感器，包括：
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，
19.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，
20.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面在第三方向上的长度小于所述双竖直栅极在所述第三方向上的长度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有矩形。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有矩形，并且所述隔离区域的所述剖面在第三方向上的长度小于所述双竖直栅极在所述第三方向上的长度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有梯形。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方向的剖面具有t形。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述连接部分的顶表面位于比所述器件隔离层的顶表面高的竖直水平处。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述连接部分包括不同的第一区和第二区，所述第一区与所述两个竖直部分重叠，并且所述连接部分的所述第二区的底表面位于比所述连接部分的所述第一区的底表面高的竖直水平处。
9.一种图像传感器，包括：
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述隔离区域的顶表面位于与所述器件隔离层的顶表面相同的竖直水平处。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，
12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述隔离区域垂直于所述第二方...
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