【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及研磨头，具体涉及一种研磨头。
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)作为在半导体基板加工中被广泛认可的重要平坦化技术，被应用于基板的研磨加工。由于薄脆的材料应用，在基板进行cmp抛光时，对薄脆的基板边缘的研磨也提出了更高的要求。
2、如图1所示，在基板研磨过程中，其主要的步骤是：
3、研磨头a吸附基板放置于研磨垫b上；
4、通过研磨头a对基板c施加下压力，与此同时研磨液d通过输送系统供应到研磨垫b上，研磨头a通过卡环(未图示)与电机连接，研磨垫b则粘贴在连接着电机的平面盘(未图示)上，二者在研磨过程中同向旋转，实现基板c的研磨加工过程。
5、如图2所示，现有的研磨头主要包括对基板施加压力作用的柔性膜体e、具有多个圆孔的刚性压板f、设于刚性压板f底部的环形的缓冲垫h、能实现边缘下压力的柔性膜夹具g、防止基板研磨时飞出研磨头的保持环(未图示)、以及压力供给的管路(未图示)。柔性膜体e的中部形成有安装槽，柔性膜体e内形成柔性膜腔。刚性压板f置于柔性膜腔内，在研磨开始前刚性压板f的底部...
【技术保护点】
1.一种研磨头，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨头，其特征在于，所述内侧壁与所述压板(2)的侧壁之间的间隙(14)为0.15mm至0.25mm。
3.根据权利要求1或2所述的研磨头，其特征在于，还包括缓冲垫(4)，所述缓冲垫(4)凸出设于所述压板(2)的底部，在横向方向上，所述出气端位于所述缓冲垫(4)的外侧，所述边缘部(22)为所述压板(2)上位于所述缓冲垫(4)外侧的部分。
4.根据权利要求3所述的研磨头，其特征在于，所述压板(2)包括主体部(21)、以及与所述主体部(21)相连的所述边缘部(22)，所述主体部(...
【技术特征摘要】
1.一种研磨头，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨头，其特征在于，所述内侧壁与所述压板(2)的侧壁之间的间隙(14)为0.15mm至0.25mm。
3.根据权利要求1或2所述的研磨头，其特征在于，还包括缓冲垫(4)，所述缓冲垫(4)凸出设于所述压板(2)的底部，在横向方向上，所述出气端位于所述缓冲垫(4)的外侧，所述边缘部(22)为所述压板(2)上位于所述缓冲垫(4)外侧的部分。
4.根据权利要求3所述的研磨头，其特征在于，所述压板(2)包括主体部(21)、以及与所述主体部(21)相连的所述边缘部(22)，所述主体部(21)向底部凹陷形成有凹槽(211)，所述进气端贯通所述凹槽(211)的侧壁或底壁。
5.根据权利要求4所述的研磨头，其特征在于，所述导气通道包括主通道(51)和分支通道(52)，所述主通道(51)的进气端贯通所述凹槽(211)的侧壁，所述主通道(51)的出气端通向所述内侧壁，所述分支通道(52)的连接端连通所述主通道(51)，所述分支通道(52)的出气端贯通所述边缘部(22)的底壁。
【专利技术属性】
技术研发人员：于然，司马超，尹影，李婷，边润立，庞浩，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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