【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高速半导体器件和量子器件领域，具体是。
技术介绍
随着摩尔定律渐近极限以及消费的不断升级，高速器件的制程方法已经引起科研 院校和企业的高度重视。而锗隧穿二极管具有电流密度大，工作速度快，独特的微分负阻 特性，易于和目前硅工艺制作技术相结合等优点，可以广泛应用于RF射频电路，高速振荡 器，存储器，多值逻辑电路等电路中。在不久的将来，高速电路的硅器件中就要加入锗，或者 完全变成锗，而其他元素砷化镓等毒性很大，利用此元素制作高速器件成本很高，不利于普 及。目前国内外各大公司都在开发锗器件工艺制程，所以，锗隧穿二极管器件是未来高速电 路的明星器件。在美国专利US6229153公布了一种采用GaAs/ALGaAs/InGaAs材料制备共振隧穿 二极管的方法。但是该方法造价高，又与当前主流的硅工艺不兼容等问题，使其不易普及推 广。国内专利200410006243. 2和专利2006101472220. 2公布的隧穿二极管制备方法都是 用气相外延生长法，这种方法材料成本贵，也不易普及推广。利用气相外延工艺在三五族化合物上生长带宽略微不匹配的材料，以形成量子阱 促...
【技术保护点】
一种锗隧穿二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：使用低掺杂锗片为基片，采用旋涂掺杂法使基片掺杂为重掺杂ｎ型锗片；步骤２：采用金属淀积法用铝覆盖重掺杂ｎ型锗片的中部；步骤３：光刻后以湿法蚀刻法形成台地；步骤４：采用等离子体化学气相沉积法沉积氮化镓覆盖台地；步骤５：采用快速退火工艺，使铝及表面的锗溶解为液体，形成铝锗共镕液，上覆氮化镓作为微型坩埚使铝锗共镕液保持稳定；步骤６：快速退火后冷却，形成重掺杂ｐ型锗，与原重掺杂ｎ型锗形成隧穿二极管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张滢清，赵嘉林，韩基东，赵云午，郑云华，
申请(专利权)人：无锡汉咏微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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