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本发明提供了一种材质更均匀，实现的隧穿器件电流密度较高的锗隧穿二极管及其制备方法，采用了简单的旋涂掺杂、金属淀积、等离子体化学气相沉积、熔体快速生长液相外延等方法，提供一种成本低廉的锗隧穿二极管制备方法。本发明的制备方法具有材料设备成本低，...
该专利属于无锡汉咏微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡汉咏微电子有限公司授权不得商用。

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