一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶制造技术

本技术提出了一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶，包括籽晶本体，籽晶本体具体包括籽晶Y轴方向上相对的籽晶正Y面和籽晶负Y面、籽晶X轴方向上相对的籽晶正X面和籽晶负X面，籽晶正X面和籽晶负X面都为锯齿结构；所述锯齿结构包括锯齿边一和锯齿边二，锯齿边一和锯齿边二与X轴的夹角均为60°；本技术一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶通过将籽晶正、负X面的传统平面结构改为锯齿结构，锯齿结构将籽晶生长速度快、杂质含量多的X面向Y面转换，由于Y面几乎不生长，从而阻止了籽晶±X区的生长，达到降低人造石英晶体杂质的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于晶体生长，尤其是涉及一种限制±x区生长的人造石英晶体籽晶。

技术介绍

1、高纯石英砂是制造高端玻璃、半导体坩埚、光伏单晶硅坩埚的消耗性原料。我国虽有大量石英矿，但由于其杂质含量高、去除难度大，从而无法生产高纯石英砂，均不适合制作玻璃用、坩埚用石英砂。

2、高纯石英砂用人造石英晶体，需要在生长过程中控制杂质元素含量，由于水晶的各向异性，在各个生长区杂质含量有很大差异。传统的人造石英晶体的籽晶大多数情况下采用z0切的方式(长度在y向、宽度在x向、厚度在z向)，传统籽晶及晶体形状见图2；生长成晶体以后主要含有负x区、z区、正x区，y向在石英晶体生长过程中生长速度几乎为0；±x区的重量占整块晶体重量的10％，但±x区的杂质含量占到了整块晶体含量的50％左右，人造石英晶体在生长过程中的杂质含量高会严重影响高纯石英砂的制备和应用。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的缺陷和不足，本技术提出一种限制±x区生长的人造石英晶体籽晶，目的在于通过改变籽晶在正负x面的形貌，使正负x面成锯齿状，限制了籽晶±x本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶，其特征在于，包括籽晶本体，籽晶本体包括在籽晶Y轴(1)方向上相对的籽晶正Y面(2)和籽晶负Y面(7)，还包括在籽晶X轴(4)方向上相对的籽晶正X面和籽晶负X面，籽晶正X面和籽晶负X面均为锯齿结构。

2.如权利要求1所述的一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶，其特征在于，所述锯齿结构包括锯齿边一(5)和锯齿边二(6)，锯齿边一和锯齿边二与X轴的夹角均为60°。

3.如权利要求1所述的一种限制±X区生长的人造石英晶体籽晶，其特征在于，所述锯齿结构为切割机切割形成的锯齿结构。

4.如权利要求1所述的一种限制±X区生长...

【技术特征摘要】

1.一种限制±x区生长的人造石英晶体籽晶，其特征在于，包括籽晶本体，籽晶本体包括在籽晶y轴(1)方向上相对的籽晶正y面(2)和籽晶负y面(7)，还包括在籽晶x轴(4)方向上相对的籽晶正x面和籽晶负x面，籽晶正x面和籽晶负x面均为锯齿结构。

2.如权利要求1所述的一种限制±x区生长的人造石英晶体籽晶，其特征在于，所述锯齿结构包括锯齿边一(5)和锯齿边二(6)，锯齿边一和锯齿边二与x轴的夹角均为60°。

【专利技术属性】
技术研发人员：于钦涛，
申请(专利权)人：北京石晶光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：