IGBT逆变和二极管整流结构单元箱制造技术

本技术涉及整流结构单元箱技术领域，提出了IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，包括IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，包括箱体、IGBT和二极管，IGBT和二极管均具有多个，多个IGBT和多个二极管均设置在箱体内，还包括水冷箱，所属水冷箱设置在箱体内，IGBT和二极管分别贴覆在水冷箱两侧，多个电流端子和多个端子连接排，多个IGBT和多个二极管均通过多个端子连接排与多个电流端子连接。通过上述技术方案，解决了现有技术中的每种器件采用单独的水冷却，导致器件间连线复杂的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及整流结构单元箱，具体的，涉及igbt逆变和二极管整流结构单元箱。

技术介绍

1、在高频焊管行业，为了减少设备占地面积，提高功率因数，去除传统设备中的降压变压器，采取了一种新的电路结构，在这种新的电路结构中，功率调整是必不可少的一个环节。

2、传统的单元箱是将逆变、整流器件平铺装配，每种器件采用单独的水冷却，这就造成水路繁多，且器件间连线复杂，占用空间多，集成度低，不方便拆装，现提出一种方案解决该问题。

技术实现思路

1、本技术提出igbt逆变和二极管整流结构单元箱，解决了相关技术中的每种器件采用单独的水冷却，导致器件间连线复杂的问题。

2、本技术的技术方案如下： igbt逆变和二极管整流结构单元箱，包括箱体、igbt和二极管，所述igbt和所述二极管均具有多个，多个所述igbt和多个所述二极管均设置在所述箱体内，还包括水冷箱，所属水冷箱设置在所述箱体内，所述igbt和所述二极管分别贴覆在所述水冷箱两侧，多个电流端子和多个端子连接排连接，多个所述igbt和多个所述二极管均通过多个所述端子连接排与多个所述电流端子连接。

3、作为进一步的技术方案，

4、所述水冷箱底部设置有进水管和出水管。

5、作为进一步的技术方案，

6、多个所述二极管和多个所述端子连接排之间均设置有二极管交流排，多个所述二极管通过所述二极管直流排两两连接。

7、作为进一步的技术方案，

8、所述箱体内还设置有电容和驱动板，所述驱动板通过所述igbt与所述电容连接。

9、作为进一步的技术方案，

10、还包括分流器和电流表，所述二极管直流排上设置有所述分流器，所述电流表设置在所述箱体上，所述分流器用于采集信号传给所述电流表。

11、作为进一步的技术方案，

12、所述箱体上设置有鼓风机，所述箱体设置有导风板，所述鼓风机的出风口朝向所述导风板，所述导风板与所述箱体内壁之间形成导风通道，ibgt和二极管均位于导风通道内。

13、本技术的工作原理及有益效果为：由于现有技术中将用于逆变、整流的电子器件平铺装配，包括igbt及二极管，并且每种电子器件均采用单独的水冷却，造成连线复杂，集成度低，占用空间多而且不方便拆装的问题，本方案通过将箱体内装有的igbt和二极管通过端子连接排与电流端子接通，由于igbt和二极管均具有多个，通过端子连接排与电流端子连通后，不仅节约空间，且端子连接排作为硬件安装后，使得连接简洁，集成度更高，通过在箱体内设置水冷箱，并将igbt和二极管贴覆在水冷箱的两侧，用一个水冷箱代替了传统的多个单独水冷，使单元箱内部结构更加简单整洁，解决了连线复杂，集成度低，占用空间多且不方便拆装的问题。

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【技术保护点】

1. IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，包括箱体（1）、IGBT（2）和二极管（3），所述IGBT（2）和所述二极管（3）均具有多个，多个所述IGBT（2）和多个所述二极管（3）均设置在所述箱体（1）内，其特征在于，还包括水冷箱（6），所述水冷箱（6）设置在所述箱体（1）内，所述IGBT（2）和所述二极管（3）分别贴覆在所述水冷箱（6）两侧，多个电流端子（4）和多个端子连接排（5）连接，多个所述IGBT（2）和多个所述二极管（3）均通过多个所述端子连接排（5）与多个所述电流端子（4）连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述水冷箱（6）底部设置有进水管（7）和出水管（8）。

3.根据权利要求1所述的IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述二极管（3）和所述端子连接排（5）之间设置有二极管交流排（9），多个所述二极管（3）通过二极管直流排（10）两两连接。

4. 根据权利要求1所述的IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述箱体（1）内还设置有电容（11）和驱动板（12），所述驱动板（12）通过所述 IGBT（2）与所述电容（11）连接。

5.根据权利要求3所述的IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，还包括分流器（13）和电流表（14），所述二极管直流排（10）上设置有所述分流器（13），所述电流表（14）设置在所述箱体（1）上，所述分流器（13）用于采集信号传给所述电流表（14）。

6.根据权利要求1所述的IGBT逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述箱体上设置有鼓风机（15），所述箱体内设置有导风板（16），所述鼓风机（15）的出风口朝向所述导风板（16），所述导风板（16）与所述箱体（1）内壁之间形成导风通道，IGBT（2）和二极管（3）均位于导风通道内。

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【技术特征摘要】

1. igbt逆变和二极管整流结构单元箱，包括箱体（1）、igbt（2）和二极管（3），所述igbt（2）和所述二极管（3）均具有多个，多个所述igbt（2）和多个所述二极管（3）均设置在所述箱体（1）内，其特征在于，还包括水冷箱（6），所述水冷箱（6）设置在所述箱体（1）内，所述igbt（2）和所述二极管（3）分别贴覆在所述水冷箱（6）两侧，多个电流端子（4）和多个端子连接排（5）连接，多个所述igbt（2）和多个所述二极管（3）均通过多个所述端子连接排（5）与多个所述电流端子（4）连接。

2.根据权利要求1所述的igbt逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述水冷箱（6）底部设置有进水管（7）和出水管（8）。

3.根据权利要求1所述的igbt逆变和二极管整流结构单元箱，其特征在于，所述二极管（3）和所述端子连接排（5）之间设置有二极管交流排（9），多个所述二极管（3）通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：范贺艳，谢华明，王杨，
申请(专利权)人：河北博宏感应技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：