半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体发光元件，其具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的多个柱状半导体层(13、14)、与柱状半导体层(13、14)的侧面接触并覆盖多个柱状半导体层(13、14)的p型的埋入半导体层(15)、形成在埋入半导体层(15)上的隧道结层(16)、以及形成在隧道结层(16)上的n型半导体层(17)，在埋入半导体层(15)、隧道结层(16)及n型半导体层(17)形成有台面结构，隧道结层(16)延伸至台面结构的侧面而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法，特别是涉及具有在p型的埋入半导体层埋入了多个柱状半导体层的结构的半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。

技术介绍

1、近年来，氮化物系半导体的晶体生长方法进展迅速，使用了该材料的高亮度的蓝色、绿色发光元件被实用化。通过将以往存在的红色发光元件和这些蓝色发光元件、绿色发光元件组合，光的三原色全部聚齐，也能够实现全色的显示装置。即，如果将光的三原色全部混合，则也能够获得白色的光，也能够应用于照明用器件。

2、在照明用途的光源所使用的半导体发光元件中，期望在高电流密度区域中能够实现高的能量转换效率和高的光输出，期望发出的光的配光特性稳定。为了解决这些问题，专利文献1中提出一种使n型纳米线芯、有源层以及p型层在生长基板上生长，在p型层的侧面形成隧道结层，并埋入n型的埋入半导体层的半导体发光元件。

3、在专利文献1所公开的在纳米线芯的外周形成了有源层的半导体发光元件中，与在生长基板的整个面上形成了有源层的半导体发光元件相比，晶体缺陷或贯通位错少，能够获得高质量的晶体，并能够进行m面生长，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

7.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：石本圣治，神野大树，
申请(专利权)人：株式会社小糸制作所，
类型：发明
国别省市：