【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于容器制造设备加热站的激光发射器，该容器制造设备加热站为包括安装在至少一个底座外表面的多个激光芯片的类型，每个激光芯片包括至少一个激光二极管，该至少一个激光二极管被布置用于沿与底座外表面基本垂直的发射方向发射红外范围内的激光。本专利技术还涉及包括多个这种激光发射器的容器制造设备加热站。
技术介绍
1、这种加热站或窑炉装备有激光发射器序列，它们的激光芯片被布置用于向在加热站中行进的合成材料的预型件发射红外范围内的激光，预型件围绕自身旋转，以便在这些预型件上施加加热剖面并使它们之后能够例如通过吹制拉伸形变，以便从预型件实现容器。每个激光芯片包括发射所需激光的多个激光二极管。这种激光二极管尤其是垂直腔面发射激光器(英文为vertical cavity surface emitting laser或vcsel)二极管。
2、为了在预型件的整个高度上施加期望的加热剖面，多个发射器沿与预型件高度对应的直立方向一个在另一个之上地放置。另外，为了以适当的方式加热整个预型件，发射器沿预型件在加热站内的行进路径一个在另一个一侧设置，并且可以在预型件两侧一个与另一个相对地设置。因此，加热站包括大量激光发射器，每个激光发射器包括大量激光芯片。
3、这种数量使激光发射器的制造和组装变得复杂，需要大量电缆连接操作以便为激光发射器供电。另外，激光发射器的运行意味着消耗大量的电，特别是因为电缆中的焦耳效应产生相对较大的电损耗。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一就是通过
2、为此，本专利技术涉及一种容器制造设备的加热站，所述加热站包括多个上述类型的激光发射器，其中每个激光二极管包括沿发射方向一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区，每个活动区参与由所述激光二极管发射激光。
3、通过在发射器的激光芯片中使用这种激光二极管，可以减少获得与每个激光二极管包括仅一个活动区的传统激光发射器的激光相等的激光所需的芯片的数量。因此，简化了激光发射器的制造以及激光发射器在加热站中的组装。还减少了电缆布线操作的数量。另外，在根据本专利技术的激光发射器中使用的激光芯片可以在更小的电流强度下运行，这提高了加热站的效率，同时降低了电消耗并限制了焦耳效应导致的电损失。此外，该更小的电流还增加了在激光芯片中使用的激光二极管的寿命。
4、根据本专利技术的激光发射器还可包括以下单独或按照可考虑的任意技术组合而采用的一个或多个特征：
5、-每个激光二极管是垂直腔面发射激光器二极管，每个活动区是沿与发射方向基本垂直并与底座的外表面基本平行的方向延伸的具有量子阱的结；
6、-通过每个激光二极管的活动开口发射激光，所述活动开口与底座的外表面基本平行地延伸并且具有基本包括在5μm和25μm之间的直径；
7、-每个激光二极管发射的激光具有基本包括在1120nm和1140nm之间的波长；
8、-每个激光二极管包括沿发射方向一个在另一个之上堆叠的三个活动区，每个活动区参与由所述激光二极管发射激光；
9、-每个激光芯片具有基本包括在1和20w.mm-2之间的光学照射功率密度；
10、-所述激光发射器包括5至60个激光芯片，所述激光芯片布置为至少一个行，所述行包括沿与发射方向基本垂直的纵向方向互相相邻的多个激光芯片；
11、-所述激光发射器布置在与底座的外表面相对的底座的内表面上的冷却装置，所述底座由导热且电绝缘的材料实现，使得允许通过冷却装置冷却激光芯片；
12、-为激光芯片供应电流，所述电流具有基本小于或等于10a，优选地小于或等于8a的强度。
13、根据另一方面。本专利技术涉及包括加热站的容器制造设备，所述加热站包括如上所述的多个激光发射器，所述激光发射器沿与用于在制造设备中形成容器的预型件高度相对应的直立方向并且沿与在加热站中与激光发射器面对的预型件的行进方向相对应的纵向方向分布。
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1.一种容器制造设备的加热站(1)，所述加热站(1)包括多个激光发射器(4)，每个激光发射器包括安装在至少一个底座(10)的外表面(12)上的多个激光芯片(14)，每个激光芯片(14)包括至少一个激光二极管(22)，所述至少一个激光二极管被布置为沿与底座(10)的外表面(12)基本垂直的发射方向(E)发射红外范围内的激光，其特征在于，每个激光二极管(22)包括沿发射方向(E)一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。
2.如权利要求1所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)是垂直腔面发射激光器二极管，每个活动区(24)是沿与发射方向(E)基本垂直并与底座(10)的外表面(12)基本平行的方向延伸的具有量子阱的结。
3.如权利要求1或2所述的加热站(1)，其中通过每个激光二极管(22)的活动开口(36)发射激光，所述活动开口与底座(10)的外表面(12)基本平行地延伸并且具有基本包括在5μm和25μm之间的直径。
4.如权利要求1至3中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(
5.如权利要求1至4中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)包括沿发射方向(E)一个在另一个之上堆叠的三个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。
6.如权利要求1至5中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光芯片(14)具有基本包括在1和20W.mm-2之间的光学照射功率密度。
7.如权利要求1至6中任一项所述的加热站(1)，包括5至60个激光芯片(14)，所述激光芯片(14)布置为至少一个行，所述行包括沿与发射方向(E)基本垂直的纵向方向互相相邻的多个激光芯片(14)。
8.如权利要求1至7中任一项所述的加热站(1)，包括布置在与底座(10)的外表面(12)相对的底座(10)的内表面(18)上的冷却装置(16)，所述底座(10)由导热且电绝缘的材料实现，使得允许通过冷却装置(16)冷却激光芯片(14)。
9.如权利要求1至8中任一项所述的加热站(1)，其中为激光芯片(14)供应电流，所述电流具有基本小于或等于10A，优选地小于或等于8A的强度。
10.一种包括加热站(1)的容器制造设备，所述加热站(1)包括多个如权利要求1至9中任一项所述的激光发射器(4)，所述激光发射器(4)沿与用于在制造设备中形成容器的预型件(2)高度相对应的直立方向并且沿与在加热站中与激光发射器(4)面对的预型件(2)的行进方向相对应的纵向方向分布。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种容器制造设备的加热站(1)，所述加热站(1)包括多个激光发射器(4)，每个激光发射器包括安装在至少一个底座(10)的外表面(12)上的多个激光芯片(14)，每个激光芯片(14)包括至少一个激光二极管(22)，所述至少一个激光二极管被布置为沿与底座(10)的外表面(12)基本垂直的发射方向(e)发射红外范围内的激光，其特征在于，每个激光二极管(22)包括沿发射方向(e)一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。
2.如权利要求1所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)是垂直腔面发射激光器二极管，每个活动区(24)是沿与发射方向(e)基本垂直并与底座(10)的外表面(12)基本平行的方向延伸的具有量子阱的结。
3.如权利要求1或2所述的加热站(1)，其中通过每个激光二极管(22)的活动开口(36)发射激光，所述活动开口与底座(10)的外表面(12)基本平行地延伸并且具有基本包括在5μm和25μm之间的直径。
4.如权利要求1至3中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)发射的激光具有基本包括在1120nm和1140nm之间的波长。
5.如权利要求1至4中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)包括沿发射方...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·弗约莱，L·达内尔，A·勒佩舒尔，N·肖梅尔，
申请(专利权)人：西得乐集团，
类型：发明
国别省市：
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