包括激光发射器的加热站制造技术

本发明专利技术涉及容器制造设备的加热站(1)，所述加热站(1)包括多个激光发射器(4)，每个激光发射器包括安装在至少一个底座(10)的外表面(12)上的多个激光芯片(14)，每个激光芯片(14)包括至少一个激光二极管(22)，所述至少一个激光二极管被布置为沿与底座(10)的外表面(12)基本垂直的发射方向(E)发射红外范围内的激光。每个激光二极管(22)包括沿发射方向(E)一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于容器制造设备加热站的激光发射器，该容器制造设备加热站为包括安装在至少一个底座外表面的多个激光芯片的类型，每个激光芯片包括至少一个激光二极管，该至少一个激光二极管被布置用于沿与底座外表面基本垂直的发射方向发射红外范围内的激光。本专利技术还涉及包括多个这种激光发射器的容器制造设备加热站。

技术介绍

1、这种加热站或窑炉装备有激光发射器序列，它们的激光芯片被布置用于向在加热站中行进的合成材料的预型件发射红外范围内的激光，预型件围绕自身旋转，以便在这些预型件上施加加热剖面并使它们之后能够例如通过吹制拉伸形变，以便从预型件实现容器。每个激光芯片包括发射所需激光的多个激光二极管。这种激光二极管尤其是垂直腔面发射激光器(英文为vertical cavity surface emitting laser或vcsel)二极管。

2、为了在预型件的整个高度上施加期望的加热剖面，多个发射器沿与预型件高度对应的直立方向一个在另一个之上地放置。另外，为了以适当的方式加热整个预型件，发射器沿预型件在加热站内的行进路径一个在另一个一侧设置，并且可以在预型件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种容器制造设备的加热站(1)，所述加热站(1)包括多个激光发射器(4)，每个激光发射器包括安装在至少一个底座(10)的外表面(12)上的多个激光芯片(14)，每个激光芯片(14)包括至少一个激光二极管(22)，所述至少一个激光二极管被布置为沿与底座(10)的外表面(12)基本垂直的发射方向(E)发射红外范围内的激光，其特征在于，每个激光二极管(22)包括沿发射方向(E)一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。

2.如权利要求1所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)是垂直腔面发射激光器二极管，每个活动区...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种容器制造设备的加热站(1)，所述加热站(1)包括多个激光发射器(4)，每个激光发射器包括安装在至少一个底座(10)的外表面(12)上的多个激光芯片(14)，每个激光芯片(14)包括至少一个激光二极管(22)，所述至少一个激光二极管被布置为沿与底座(10)的外表面(12)基本垂直的发射方向(e)发射红外范围内的激光，其特征在于，每个激光二极管(22)包括沿发射方向(e)一个在另一个之上堆叠的至少两个活动区(24)，每个活动区(24)参与由所述激光二极管(22)发射激光。

2.如权利要求1所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)是垂直腔面发射激光器二极管，每个活动区(24)是沿与发射方向(e)基本垂直并与底座(10)的外表面(12)基本平行的方向延伸的具有量子阱的结。

3.如权利要求1或2所述的加热站(1)，其中通过每个激光二极管(22)的活动开口(36)发射激光，所述活动开口与底座(10)的外表面(12)基本平行地延伸并且具有基本包括在5μm和25μm之间的直径。

4.如权利要求1至3中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)发射的激光具有基本包括在1120nm和1140nm之间的波长。

5.如权利要求1至4中任一项所述的加热站(1)，其中每个激光二极管(22)包括沿发射方...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·弗约莱，L·达内尔，A·勒佩舒尔，N·肖梅尔，
申请(专利权)人：西得乐集团，
类型：发明
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