半导体器件及半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件，包括具有一个或多个场效应晶体管(field‑effect transistor，FET)的基板，所述一个或多个FET的给定FET包括形成为垂直堆叠中的交替栅极和沟道的多个纳米层。所述给定FET的源极区和漏极区围绕垂直堆叠。所述给定FET的源极区和漏极区中的至少一个外延形成在掺杂层上，该层又外延形成在所述基板上。当给定FET工作时，掺杂层用于屏蔽垂直堆叠中的一个或多个栅极及其一个或多个相关沟道，使其无法用于源极区和漏极区之间的导电。所公开的半导体器件包括具有电隔离的多个纳米层的堆叠，从而实现了改进的沟道应力和性能功率权衡设计。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术一般涉及半导体器件领域；更具体地，本专利技术涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法(即制造方法)。

技术介绍

1、通常，半导体器件是其功能基于半导体材料的电子特性的电子设备，这些材料包括硅(silicon，si)、锗(germanium，ge)、砷化镓等。半导体器件作为单个器件或集成电路(integrated circuit，ic)器件制造。一种众所周知的半导体器件被命名为金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field-effect transistor，mosfet)，其包括漏极端子、源极端子和栅极端子。另一种具有部分改进性能的众所周知的半导体器件被命名为鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)，它是多栅极器件。这种finfet器件包括两个或更多个栅极端子，它们位于由finfet器件的源极端子和漏极端子形成的沟道的两个或三个侧面上，因此，与已知的mosfet器件相比，finfet器件表现出更好的导电特性。

2、目前，提出了一种环绕栅极fe本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件(100A、100B、100C)，包括具有形成在其上的一个或多个场效应晶体管(field-effect transistor，FET)的基板(102)，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体器件(100A、100B、100C)，其特征在于，所述掺杂层(118)具有与所述基板(102)的形成所述一个或多个FET的区域的掺杂极性类型相同的掺杂极性类型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件(100A、100B、100C)，其特征在于，所述掺杂层(118)由以下材料中的至少一种外延形成：SiGe、GeSn、Ge和GaAs。>

4.根据权利...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件(100a、100b、100c)，包括具有形成在其上的一个或多个场效应晶体管(field-effect transistor，fet)的基板(102)，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述掺杂层(118)具有与所述基板(102)的形成所述一个或多个fet的区域的掺杂极性类型相同的掺杂极性类型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述掺杂层(118)由以下材料中的至少一种外延形成：sige、gesn、ge和gaas。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述基板(102)包括至少一个n型区和至少一个p型区，所述一个或多个fet的一部分作为p型fet制造在所述至少一个n型区上，并且所述一个或多个fet的另一部分作为n型fet制造在所述至少一个p型区上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述垂直堆叠(112)中的多层中的每个导电层在与所述基板(102)的平面正交的方向上的厚度在1nm至20nm范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述一个或多个fet被制造为环绕栅极(gate-all-around，gaa)结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述一个或多个fet形成为finfet细长结构设置，所述一个或多个fet的细长轴平行于所述基板(102)的平面，并且正交于从源极区114到漏极区116的导电方向。

8.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述掺杂层(118)用于将所述一个或多个fet与最接近基板(102)的垂直堆叠(112)的一个或多个层隔离开。

9.根据权利要求1所述的半导体器件(100a、100b、100c)，其特征在于，所述一个或多个fet是硅基器件。

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【专利技术属性】
技术研发人员：克里希纳·库马尔·布瓦卡，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：