本发明专利技术提供一种碳化硅晶圆电解装置及电化学机械抛光系统，属于晶圆电解技术领域，其中碳化硅晶圆电解装置包括电解槽和电极板组，电解槽具有至少一个电解室，所述电解室内部用于放置电解液和待处理晶圆；电极板组设置于所述电解室中，所述电极板组包括第一导电件和两个电极板，两个所述电极板分别设置于所述第一导电件的两侧，所述第一导电件具有与所述待处理晶圆的两侧面同时接触的导电触点。本发明专利技术提供的碳化硅晶圆电解装置，待处理晶圆的两个侧面分别通过导电触点与其两侧的电极板形成导通，完成了对晶圆两侧面的同时电解过程，提高了晶圆的电解效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆电解，具体涉及一种碳化硅晶圆电解装置及电化学机械抛光系统。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速率高等诸多优点，是高频、高温、高效、大功率电子元器件的理想材料，在航空航天、新能源汽车、5g基站等科学
有广阔的应用前景。
2、电化学氧化是晶圆加工的一种工艺，在专利cn117020926a中公开了一种碳化硅晶圆的电化学机械抛光装置，在化学机械抛光过程中，同时对晶圆进行电化学作用，完成了对碳化硅晶圆的单面电解。
3、然而，在上述采用抛光过程中对晶圆进行电解的方案中，存在无法实现对晶圆的双面充分电解，电解效率较低。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中电化学机械抛光过程中无法对晶圆进行双面充分电解、电解效率较低的缺陷，从而提供一种碳化硅晶圆电解装置及电化学机械抛光系统。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种碳化硅晶圆电解装置，包括：
>3、电解槽，具有至本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述电解室(2)顶部设有开口，所述待处理晶圆(3)从该开口处竖直设于所述电解液中。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述待处理晶圆(3)沿轴向方向的投影落入所述电极板(5)的范围内。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述第一导电件(4)包括第一夹片(6)、第二夹片(7)和第一弹性连接件(8)，所述第一夹片(6)和所述第二夹片(7)通过所述第一弹性连接件(8)连接，所述第一夹片(6)和所述第二夹片(7)之...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述电解室(2)顶部设有开口，所述待处理晶圆(3)从该开口处竖直设于所述电解液中。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述待处理晶圆(3)沿轴向方向的投影落入所述电极板(5)的范围内。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，所述第一导电件(4)包括第一夹片(6)、第二夹片(7)和第一弹性连接件(8)，所述第一夹片(6)和所述第二夹片(7)通过所述第一弹性连接件(8)连接，所述第一夹片(6)和所述第二夹片(7)之间形成第一夹持区(9)，所述第一夹持区(9)用于夹紧所述待处理晶圆(3)。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆电解装置，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的碳...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚东，王磊，史霄，王胜，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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