本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，其中，太阳能电池的制作方法，包括：提供一硅基底，所述硅基底的第一面上形成有扩散掺杂层，所述第一面包括接触区和非接触区；对位于所述接触区的所述扩散掺杂层进行激光推进；对激光推进后的所述硅基底进行氧化处理，在所述第一面上形成选择性发射极；其中，所述氧化处理包括至少两次升温氧化和至少两次降温氧化，所述降温氧化进行于所述升温氧化之后。本申请可以在非接触区形成极浅结，增强蓝光响应，增大短路电流，提升太阳能电池的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，更具体地，涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件。
技术介绍
1、选择发射极是在金属电极下及其附近形成高浓度的重掺杂区域，在光吸收区域形成低浓度的浅掺杂区域，一方面有利于提高金属电极的欧姆接触以减少接触电阻，另一方面可以减少俄歇复合，提高了载流子的寿命，使得太阳能电池可以获得更高的开路电压、短路电流和填充因子，提升了电池转换效率。
2、但目前由常规的选择性发射极技术形成的浅掺杂区域结深较深，未能发挥出良好的浅结优势，对短路电流的提升不明显。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，用于在非接触区形成极浅结，增强蓝光响应，增大短路电流，提升太阳能电池的光电转换效率。
2、第一方面，本申请提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：
3、提供一硅基底，硅基底的第一面上形成有扩散掺杂层，第一面包括接触区和非接触区；
4、对位于接触区的扩散掺杂层进行激光推进；
5、对激光推进后的硅基底进行氧化处理，在第一面上形成选择性发射极；
6、其中，氧化处理包括至少两次升温氧化和至少两次降温氧化，降温氧化进行于升温氧化之后。
7、可选地，其中：
8、对激光推进后的硅基底进行氧化处理，在第一面上形成选择性发射极包括：
9、将激光推进后的硅基底放入氧化设备中，升温至预备温度；
10、然后升温至第一预设温度，进行第一次升温氧化；
>11、然后升温至第二预设温度，进行第二次升温氧化；12、然后降温至第三预设温度，进行第一次降温氧化；
13、然后降温至第四预设温度，进行第二次降温氧化；
14、然后降温至结束温度，在硅基底的第一面上形成选择性发射极；
15、其中，第一次升温氧化、第二次升温氧化、第一次降温氧化和第二次降温氧化时的氧气流量依次增大。
16、可选地，其中：
17、氧化设备在第一次升温氧化、第二次升温氧化、第一次降温氧化和第二次降温氧化时的压力依次增大。
18、可选地，其中：
19、升温至第一预设温度，进行第一次升温氧化的条件包括：第一预设温度为850℃～950℃，氧气流量为3000sccm～12000sccm，第一次升温氧化的压力为200mbar～750mbar。
20、可选地，其中：
21、升温至第二预设温度，进行第二次升温氧化的条件包括：第二预设温度为900℃～1030℃，氧气流量为13000sccm～22000sccm，第二次升温氧化的压力为250mbar～800mbar，时间为2000s～5000s。
22、可选地，其中：
23、降温至第三预设温度，进行第一次降温氧化的条件包括：第三预设温度为800℃～1000℃，氧气流量为23000sccm～32000sccm，第一次降温氧化的压力为300mbar～850mbar。
24、可选地，其中：
25、降温至第四预设温度，进行第二次降温氧化的条件包括：第四预设温度为750℃～850℃，氧气流量为33000sccm～42000sccm，第二次降温氧化的压力为350mbar～900mbar。
26、第二方面，本申请还提供一种太阳能电池，太阳能电池采用第一方面所描述的太阳能电池的制作方法制作而成，太阳能电池包括硅基底，硅基底的第一面上形成有选择性发射极。
27、可选地，其中：
28、太阳能电池在非接触区的pn结结深为0.5μm～0.9μm。
29、第三方面，本申请还提供一种光伏组件，光伏组件包括电池串，电池串由多个如第二方面所描述的太阳能电池电连接形成。
30、与现有技术相比，本申请提供的一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，至少实现了如下的有益效果：
31、在激光推进后，对硅基底进行氧化处理时可以采用较低的工艺温度进行氧化，从而在非接触区形成极浅的pn结，一方面可以增强蓝光响应，体现了se结构的浅结优势，增大了短路电流，提升了太阳能电池的光电转换效率，另一方面扩大了se结构接触区和非接触区的结深差异，进一步提高了太阳能电池的效率。此外，在激光推进后的氧化处理过程中采用较低的工艺温度，还可以降低能耗，延长氧化处理设备的使用寿命。并且，氧化处理包括多次升温氧化和降温氧化，实现了在氧化处理过程中改变升温速率和降温速率，加速了氧化处理过程对硅基底的晶格修复，进一步减少了硅基底的内部缺陷。
32、当然，实施本申请的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
33、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
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【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述对激光推进后的所述硅基底进行氧化处理，在所述第一面上形成选择性发射极包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述氧化设备在所述第一次升温氧化、所述第二次升温氧化、所述第一次降温氧化和所述第二次降温氧化时的压力依次增大。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述升温至第一预设温度，进行第一次升温氧化的条件包括：所述第一预设温度为850℃～950℃，氧气流量为3000sccm～12000sccm，所述第一次升温氧化的压力为200mbar～750mbar。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述升温至第二预设温度，进行第二次升温氧化的条件包括：所述第二预设温度为900℃～1030℃，氧气流量为13000sccm～22000sccm，所述第二次升温氧化的压力为250mbar～800mbar，时间为2000s～5000s。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述降温至第三预设温度，进行第一次降温氧化的条件包括：所述第三预设温度为800℃～1000℃，氧气流量为23000sccm～32000sccm，所述第一次降温氧化的压力为300mbar～850mbar。
7.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述降温至第四预设温度，进行第二次降温氧化的条件包括：所述第四预设温度为750℃～850℃，氧气流量为33000sccm～42000sccm，所述第二次降温氧化的压力为350mbar～900mbar。
8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1～7任一项所述的太阳能电池的制作方法制作而成，所述太阳能电池包括硅基底，所述硅基底的第一面上形成有选择性发射极。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池在所述非接触区的pn结结深为0.5μm～0.9μm。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括电池串，所述电池串由多个如权利要求8～9任一项所述的太阳能电池电连接形成。
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【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述对激光推进后的所述硅基底进行氧化处理，在所述第一面上形成选择性发射极包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述氧化设备在所述第一次升温氧化、所述第二次升温氧化、所述第一次降温氧化和所述第二次降温氧化时的压力依次增大。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述升温至第一预设温度，进行第一次升温氧化的条件包括：所述第一预设温度为850℃～950℃，氧气流量为3000sccm～12000sccm，所述第一次升温氧化的压力为200mbar～750mbar。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述升温至第二预设温度，进行第二次升温氧化的条件包括：所述第二预设温度为900℃～1030℃，氧气流量为13000sccm～22000sccm，所述第二次升温氧化的压力为250mbar～800mbar，时间为2000s～5000s。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，冉超，苗劲飞，苗丽燕，曾庆云，邱彦凯，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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