【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发热地板，尤其涉及一种发热芯片和发热地板。
技术介绍
1、发热地板铺装时要错缝铺装，因地板的特性是窄而长，所以发热地板的电连接在短边方向效果会更好，但在传统的发热地板的发热芯片为了与电源连接方便，通常将电极设置在长边，不仅可以调整电极与电源的连接位置，而且铺装更加方便快捷，但是发热芯片复合方式电极在长边方向，导致了电极间距小，功率会非常大。因此，需要一种电连接处于发热地板的长边，但是电流方向位于短边的发热芯片。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种发热芯片和发热地板，以解决现有技术中遇到的一个或者多个技术问题。
2、第一方面，本技术实施例提供了一种发热芯片，包括：
3、基底；
4、电热转换层；所述电热转换层为形成在所述基底上的导电薄膜；所述电热转换层用于通电后进行电热转换；
5、第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和第二导电条设置在所述电热转换层的两个长边上，所述第一导电条和第二导电条分别与电源正负极连接；
6、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述电热转换层的两个短边上，所述第一电极与所述第一导电条连接，所述第二电极与所述第二导电条连接；
7、封装层，所述封装层覆盖在所述电热转换层上，所述封装层用于将所述电热转换层、第一导电条和第二导电条、第一电极和第二电极以及基底封装为一体结构；
8、其中，所述电热转换层包括第一刻划线和第二刻划线，所述第一刻划线以所述第一电极为起
9、在一种较佳的实施方式中，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为s，所述第一电极和所述第二电极之间的间距为l1；
10、其中，s和l1满足：s/l1≤1。
11、第二方面，本技术实施例提供了一种发热芯片，包括：
12、基底，
13、电热转换层；所述电热转换层为形成在所述基底上的导电薄膜；所述电热转换层用于通电后进行电热转换；
14、第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和第二导电条设置在所述电热转换层的两个长边上，所述第一导电条和第二导电条分别与电源正负极连接；
15、第三电极、第四电极和第五电极，所述第三电极和第四电极设置在所述电热转换层的两个短边上；所述第五电极设置在所述第三电极和所述第四电极之间，所述第三电极和第四电极与所述第一导电条连接，所述第五电极与所述第二导电条连接；
16、封装层，所述封装层覆盖在所述电热转换层上，所述封装层用于将所述电热转换层、第一导电条和第二导电条、第三电极、第四电极和第五电极以及基底封装为一体结构；
17、其中，所述电热转换层包括第三刻划线和第四刻划线，所述第三刻划线以所述第三电极为起点沿所述第一导电条边缘刻划至所述第四电极，所述第四刻划线以所述第五电极为起点沿所述第二导电条边缘向所述第五电极两侧分别刻划至所述电热转换层端点；以使所述第一导电条和第二导电条连接电源后在所述第三电极和所述第五电极之间以及所述第四电极和所述第五电极之间形成电流。
18、在一种较佳的实施方式中，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为s，所述第三电极和所述第五电极之间的间距为l2，所述第四电极和所述第五电极之间的间距为l3；
19、其中，s、l2和l3满足：s/l2≤1；s/l3≤1。
20、在一种较佳的实施方式中，导电条为铜条，电极为银浆。
21、在一种较佳的实施方式中，所述电热转换层的厚度为10nm～1000nm。
22、在一种较佳的实施方式中，所述基底和所述封装层的厚度小于100mm。
23、在一种较佳的实施方式中，所述电热转换层包括石墨烯、镍铬合金、znoxs(1-x)、inoxs(1-x)、snxin(1-x)o、znxmg(1-x)o、znxal(1-x)o、cdo、nio、cu2o和sno中的一种。
24、第三方面，本技术实施例提供了一种发热地板，包括：
25、上述任一实施方式中所述的发热芯片；所述发热芯片用于通电后进行电热转换；
26、饰面层；所述饰面层覆盖在所述发热芯片上；
27、基材，所述基材设置在所述发热芯片下方，所述基材与所述发热芯片固定连接。
28、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：通过将发热芯片上位于长边的导电条正负极引到位于短边的电极上，以在短边之间形成电流，实现减小功率的功能。
29、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
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1.一种发热芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为S，所述第一电极和所述第二电极之间的间距为L1；
3.一种发热芯片，其特征在于，包括：
4.如权利要求3所述的发热芯片，其特征在于，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为S，所述第三电极和所述第五电极之间的间距为L2，所述第四电极和所述第五电极之间的间距为L3；
5.如权利要求3所述的发热芯片，其特征在于，导电条为铜条，电极为银浆。
6.如权利要求3所述的发热芯片，其特征在于，所述电热转换层的厚度为10nm～1000nm。
7.如权利要求3所述的发热芯片，其特征在于，所述基底和所述封装层的厚度小于100mm。
8.一种发热地板，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种发热芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发热芯片，其特征在于，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为s，所述第一电极和所述第二电极之间的间距为l1；
3.一种发热芯片，其特征在于，包括：
4.如权利要求3所述的发热芯片，其特征在于，所述第一导电条和第二导电条之间的间距为s，所述第三电极和所述第五电极之间的间距为l2，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈美亚，张爱宾，李永武，杨敏，潘咏华，
申请(专利权)人：光之科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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