【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路，具体涉及一种自偏置共源共栅电流镜。
技术介绍
1、共源共栅电流镜是将普通电流镜中负责镜像电流的晶体对管替换成一对共源共栅管，从而增大了输出电阻，使输出电流更加稳定；并使共源管的源漏电压vds对输出电压变化不敏感，使电流复制更加精确。
2、现有的单通道输入的低压共源共栅电流镜在使用时，因为在低压共源共栅电流镜电路存在两个稳定的静态工作点，也即存在一个简并点，所以在上电的过程中会产生电路锁定的现象，从而导致电路功能失效。在实际使用时，电路可能会因为晶体管的漏电恢复到正常的工作状态，但是电路恢复到正常的工作状态需要一定的恢复时间，这无疑增加了电路的启动时间，同时电源电压的变化也可能会影响到电路的稳定。
3、基于此，需要一种新技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种自偏置共源共栅电流镜，以至少解决现有技术中存在的不足。
2、本专利技术实施例提供以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供一种自偏置共源共栅电流镜结构，包括第一共源共栅结构和第二共源共栅结构，所述第一共源共栅结构和所述第二共源共栅结构通过第一节点和第二节点连接，所述自偏置共源共栅电流镜还包括：
4、偏置二极管，所述偏置二极管的p端与所述第一节点连接，n端与所述第二节点连接。
5、进一步地，所述偏置二极管为普通二极管或体二极管。
6、进一步地，所述第一共源共栅结构包括第一nmos管m1和第二nmos
7、所述第一nmos管m1的源极和所述第二nmos管的漏极连接，所述第一nmos管m1的栅极与所述第二节点连接；所述第二nmos管m3的栅极分别与所述第一nmos管m1的漏极和所述第一节点连接。
8、进一步地，所述第二nmos管m3的源极接地设置。
9、进一步地，所述第一共源共栅结构为单输入通道宽摆幅共源共栅结构。
10、进一步地，所述第二共源共栅结构包括第三nmos管m2和第四nmos管m4；
11、所述第三nmos管m2的栅极与所述第二节点连接，所述第三nmos管m2的源极与所述第四nmos管m4的漏极连接；所述第四nmos管m4的栅极与所述第一节点连接。
12、进一步地，所述第四nmos管m4的源极接地设置。
13、进一步地，所述第一共源共栅结构包括第一pmos管m1和第二pmos管m3；
14、第一pmos管m3的栅极分别与所述第二节点、所述第二pmos管m1的漏极连接，所述所述第一pmos管m3的漏极与所述第二pmos管m1的源极连接；所述第二pmos管m1的栅极与所述第一节点连接，所述第二pmos管m3的源极接vdd。
15、进一步地，所述第二共源共栅结构包括第三pmos管m4和第四pmos管m2；
16、所述第三pmos管m4的栅极与所述第二节点连接，所述第三pmos管m4的漏极与所述第四pmos管m2的源极连接；所述第四pmos管m2的栅极与所述第一节点连接，所述第三pmos管m4的源极接vdd设置。
17、本专利技术实施例的一种电流镜，包括如上任一所述的自偏置共源共栅电流镜结构。
18、与现有技术相比，本专利技术实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
19、本专利技术的一种自偏置共源共栅电流镜，通过在第一节点和第二节点之间设置偏置二极管，且将偏置二极管的p端与第一节点连接，将n端与第二节点连接，从而解决了现有的共源共栅电流镜在上电的过程中会产生电路锁定的现象，从而导致电路功能失效的问题。
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1.一种自偏置共源共栅电流镜结构，包括第一共源共栅结构和第二共源共栅结构，所述第一共源共栅结构和所述第二共源共栅结构通过第一节点和第二节点连接，其特征在于，所述自偏置共源共栅电流镜还包括：
2.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述偏置二极管为普通二极管或体二极管。
3.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第一共源共栅结构包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M3；
4.根据权利要求3所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第二NMOS管M3的源极接地设置。
5.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第一共源共栅结构为单输入通道宽摆幅共源共栅结构。
6.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第二共源共栅结构包括第三NMOS管M2和第四NMOS管M4；
7.根据权利要求6所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第四NMOS管M4的源极接地设置。
8.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流
9.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第二共源共栅结构包括第三PMOS管M4和第四PMOS管M2；
10.一种电流镜，其特征在于，包括如权利要求1～9任一所述的自偏置共源共栅电流镜结构。
...【技术特征摘要】
1.一种自偏置共源共栅电流镜结构，包括第一共源共栅结构和第二共源共栅结构，所述第一共源共栅结构和所述第二共源共栅结构通过第一节点和第二节点连接，其特征在于，所述自偏置共源共栅电流镜还包括：
2.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述偏置二极管为普通二极管或体二极管。
3.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第一共源共栅结构包括第一nmos管m1和第二nmos管m3；
4.根据权利要求3所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第二nmos管m3的源极接地设置。
5.根据权利要求1所述的自偏置共源共栅电流镜结构，其特征在于，所述第一共源共栅结构为单输入...
【专利技术属性】
技术研发人员：荀本鹏，徐歆，李猛，
申请(专利权)人：上海芯鳍集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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