一种稠环化合物、超窄带隙有机半导体材料及制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种稠环化合物、超窄带隙有机半导体材料及制备方法和应用，属于有机功能半导体材料技术领域。本发明专利技术提供了一种具有式I或式II所示结构的稠环化合物，其为烷基侧链取代的碳氧桥梯形稠环化合物(R<subgt;2</subgt;为‑H)或烷基侧链取代且官能化修饰的碳氧桥梯形稠环化合物(R<subgt;2</subgt;为除‑H以外取代基)，即碳氧桥上的增溶侧链为烷基，可以作为富电子稠环给体单元构筑具有强近红外二区吸收性质的超窄带隙有机半导体材料。本发明专利技术提供了具有式I或式II所示结构的稠环化合物的制备方法，本发明专利技术提供的方法操作简单，且产物收率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机功能半导体材料，具体涉及一种稠环化合物、超窄带隙有机半导体材料及制备方法和应用。

技术介绍

1、窄带隙超窄带隙有机半导体材料是一类重要的光电材料，是指带隙小于1.6ev、吸收边达到近红外(nir)区域的材料。为了对长波长的红外光有足够的响应，只有使用光学带隙较窄的半导体材料作为感光材料，才能让低能光子产生激子。在太阳光中，近红外光占太阳光谱能量的43％，因此窄带隙光伏材料能够提高太阳能光谱的利用率，同时减少给体和受体之间电荷转移引起的开路电压损失。此外，近红外光在生物组织中具有更强的穿透性，因此将材料的光谱范围扩展到可见光之外，能够极大程度的丰富近红外光在医疗健康、柔性电子、能源环境等领域的应用。自2015年，占肖卫等人报道了基于碳桥梯形稠环受体单元，在构筑非富勒烯受体材料方面表现出优异的性能(lin,y.；wang,j.；zhang,z.g.,etal.an electron acceptor challenging fullerenes for efficientpolymer solarcells[j].advancedmateri本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种稠环化合物，其特征在于，具有式I或式II所示结构：

2.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述链烷基为C1～C40的直链烷基或C3～C40支链烷基。

3.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述锡基为-SnMe3或-SnBu3；

4.根据权利要求1～3任一项所述的稠环化合物，其特征在于，所述稠环化合物为以下化合物中的任一种：

5.权利要求1～4任一项所述稠环化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.一种超窄带隙有机半导体材料，其特征在于，由权利要求1～4任一项所述稠环化合物与缺电子受体化合物经偶...

【技术特征摘要】

1.一种稠环化合物，其特征在于，具有式i或式ii所示结构：

2.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述链烷基为c1～c40的直链烷基或c3～c40支链烷基。

3.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述锡基为-snme3或-snbu3；

4.根据权利要求1～3任一项所述的稠环化合物，其特征在于，所述稠环化合物为以下化合物中的任一种：

5.权利要求1～4任一项所述稠环化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.一种超窄带隙有机半导体材料，其特征在于，由权利要求1～4任一项所述稠环化合物与缺电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿延候，陈枭枫，邓云峰，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：