【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及集成电路器件和制造其的方法，更具体地，涉及包括电容器的集成电路器件和制造该集成电路器件的方法。
技术介绍
1、随着近来小型化半导体工艺技术的快速发展，集成电路器件的高集成密度已经加速，并且每个单元的面积已经减小。因此，每个单元中电容器可占据的面积也已减小。例如，随着诸如动态随机存取存储器(dram)的集成电路器件的集成密度的增加，每个单元的面积已经减小，同时所需的电容已经保持或增大。因此，需要一种结构，用于通过克服电容器的空间限制和设计规则的限制并增大电容器的电容来保持期望的电特性。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了集成电路器件和制造其的方法，该集成电路器件用于通过允许支撑下电极的支撑件的部分材料扩散到电容器电介质膜中而减小流过相邻下电极之间的电容器电介质膜的泄漏电流。
2、专利技术构思不限于上面提到的内容，并且将从下面的描述中由本领域技术人员清楚地理解。
3、根据专利技术构思的实施方式，一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中
4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中随着离开所述支撑件和所述电容器电介质膜之间的所述界面的距离增加，所述电容器电介质膜的所述一部分中的所述金属的浓度降低。
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中
9.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中
4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中随着离开所述支撑件和所述电容器电介质膜之间的所述界面的距离增加，所述电容器电介质膜的所述一部分中的所述金属的浓度降低。
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个下电极中的每个具有柱形或圆筒形，并且在垂直于所述衬底的方向上延伸。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑圭镐，闵淙渶，白智睿，李睿璱，李真旭，崔原湜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。