【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及集成电路器件和/或制造其的方法，更特别地涉及包括电容器的集成电路器件和/或制造该集成电路器件的方法。
技术介绍
1、随着小型化半导体工艺技术的近来的快速发展，集成电路器件的高集成密度已被加速，并且每个单元的面积减小了。因此，每个单元中电容器可以占据的面积也减少了。例如，随着诸如动态随机存取存储器(dram)的集成电路器件的集成密度的增加，在维持或增加必要的电容的同时，每个单元的面积已被减小。因此，所需的是一种结构，该结构用于通过克服电容器的空间限制和设计规则的限制并增加电容器的电容来保持期望的电特性。
技术实现思路
1、专利技术构思提供一种制造集成电路器件的方法，通过该方法，通过使用原子层沉积(ald)在电容器介电膜上形成下泄漏电流防止层，可以减少流过相邻下电极之间的电容器介电膜的泄漏电流，在该原子层沉积中可以供应非常少量的杂质作为前体。
2、专利技术构思不限于以上提及的内容，由以下描述本领域技术人员会清楚地理解专利技术构思。
3、根据专利技术构思的...
【技术保护点】
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中
3.根据权利要求2所述的方法，其中
4.根据权利要求3所述的方法，其中
5.根据权利要求3所述的方法，其中
6.根据权利要求1所述的方法，其中
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电容器材料层比所述第二电容器材料层厚。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述下泄漏电流防止层被配置为减少在彼此相...
【技术特征摘要】
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中
3.根据权利要求2所述的方法，其中
4.根据权利要求3所述的方法，其中
5.根据权利要求3所述的方法，其中
6.根据权利要求1所述的方法，其中
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电容器材料层比所述第二电容器材料层厚。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述下泄漏电流防止层被配置为减少在彼此相邻的所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑圭镐，闵淙渶，白智睿，李睿璱，李真旭，郑昌和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。