半导体器件以及使用石墨烯进行热耗散的方法技术

技术编号:40007546 阅读:29 留言:0更新日期:2024-01-16 14:45
一种半导体器件具有第一衬底以及设置在第一衬底上的电气部件。石墨烯层设置在电气部件上,并且热界面材料设置在石墨烯层之间。散热器设置在热界面材料上。石墨烯层结合热界面材料辅助了电气部件与散热器之间的热传递。石墨烯层可以设置在由铜制成的第二衬底上。密封剂沉积在第一衬底上以及电气部件和石墨烯衬底周围。热界面材料和散热器可以在密封剂上延伸。散热器可以具有从散热器的水平部分向下到衬底的垂直或有角度的延伸。散热器可以在多个模块上延伸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体器件,并且更具体地涉及一种半导体器件以及使用石墨烯进行热耗散的方法


技术介绍

1、半导体器件通常在现代电子产品中被找到。半导体器件执行宽泛范围的功能,诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、光电、以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中被找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中被找到。

2、半导体器件、特别是在诸如射频(rf)无线通信之类的高频应用中通常包含一个或多个集成无源器件(ipd),以执行必要的电气功能。多个半导体管芯和ipd可以被集成到sip模块中,以用于小空间中的更高的密度以及扩展的电气功能。在sip模块内,半导体管芯和ipd被设置在衬底上,以用于结构支撑和电气互连。密封剂沉积在半导体管芯、ipd和衬底上。共形电磁干扰(emi)屏蔽层通常在密封剂上形成。

3、sip模块包括高速数字和rf电气部件,其是高度集成的,以用于小尺寸和低高度,并且在高时钟频率和高额定功率下操作。已知电气部件会生成大量的热量,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括第二衬底,其中石墨烯层设置在第二衬底上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中第二衬底包括铜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括设置在石墨烯层与散热器之间的热界面材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括沉积在第一衬底上和电气部件周围的密封剂。

6.一种半导体器件,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体器件,进一步包括衬底,其中石墨烯层设置在所述衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述衬底...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括第二衬底,其中石墨烯层设置在第二衬底上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中第二衬底包括铜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括设置在石墨烯层与散热器之间的热界面材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括沉积在第一衬底上和电气部件周围的密封剂。

6.一种半导体器件,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体器件,进一步包括衬底,其中石墨烯层设置在所述衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述衬底包括铜。...

【专利技术属性】
技术研发人员:金昌伍郑珍熙权五玟李喜秀
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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