【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种碳化硅半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代半导体材料，其临界击穿场强是si材料的10倍，禁带宽度和热导率是si材料的3倍，本征载流子的浓度也只有si材料的十分之一。其中，宽禁带特性能够实现更低的漏电流以及高温工作能力；而高临界击穿电场强度可以将阻断电压的漂移区厚度减小10倍，从而使得高压等级器件的开通电阻大幅度降低；而高热导率可允许器件中有更高功率的耗散，并降低对冷却设备的要求。这些显著的优势使得碳化硅成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。
2、碳化硅器件由于常被应用于高压、大电流等大功率环境，因此在设计开发时必须考虑器件具有足够的耐压能力，以保证器件的可靠性稳定。目前行业内碳化硅mosfet以平面型结构为主，受限于工艺设备能力，器件中与n-漂移层形成电场屏蔽作用的pw区想要实现深注入较为困难，且较深的pw区也会同时增大器件jfet区电阻，大幅降低导通能力。因此如何在实现深pw区的同时还不过多影响导通能力，对碳化硅mosfet器件来说具有一定意义。
<...【技术保护点】
1.一种碳化硅半导体器件，包括从下而上依次设置的碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2），所述碳化硅漂移层（2）的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽（3）；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体器件，其特征在于，所述碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2）导电类型均为N型。
3.一种碳化硅半导体器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅半导体器件制备方法，其特征在于，步骤S200中所述沟槽（3）的刻蚀深度在0.6um。
5.根据权利要求3所述的一种碳化硅半导体器件制备方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体器件，包括从下而上依次设置的碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2），所述碳化硅漂移层（2）的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽（3）；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体器件，其特征在于，所述碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2）导电类型均为n型。
3.一种碳化硅半导体器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅半导体器件制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：王正，杨程，万胜堂，王坤，陈鸿骏，赵耀，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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