【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及塑料中污染物检测方法，具体为一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法。
技术介绍
1、卤代有机物是指有机物中结构中与c相连的1个或者多个h被卤素取代的有机物，包括氟代、氯代、溴代和碘代有机物等；大量卤代有机物工业品被用作塑料制品的非键合添加剂，如溴代阻燃剂(bfrs)、氯代阻燃剂(cl-frs)、氯代有机磷阻燃剂(cl-pfrs)、氯代增塑剂等，其影响已引起公众和科学界的广泛关注；这些卤代有机添加剂(hoas)通常加入塑料部件(塑料电路板、外壳、电线、电缆涂层等)中、用作阻燃剂、增塑剂、抗菌剂、防虫剂等，以改善塑料制品性能；许多hoas，如多溴联苯醚(pbdes)、多溴联苯(pbbs)、六溴苯(hbb)、四溴双酚a(tbbpa)、多氯联苯(pcbs)和得克隆(dps)等，其持久性，生物蓄积性，内分泌干扰性和毒性等，对生态环境和人类均有不良影响，是广为人知的卤代有机污染物；即使对hoas研究不断深入，但仍有其他鲜为人知和未知的hoas(如常见hoas的副产物和转化物等)尚待发现和研究；
2、针对这些有毒有害的卤代有机添加物，许多国家和地区正在根据法规逐步淘汰传统卤代阻燃剂，多类替代性卤代阻燃剂已被发现存在于各种塑料产品中(包括电子电器产品塑料部件)，它们不仅提高了产品使用和安全性能，还可以逃避针对传统卤代阻燃剂的监测法规；然而，鉴于许多卤代有机物都是有害有毒的污染物，替代性卤代阻燃剂，尤其是所谓的“令人遗憾的替代品”，可能对生态环境和人类造成消极影响；而且，一些替代性卤代阻燃剂具有类似传统卤代阻燃剂
3、鉴于上述情况，有必要对现有的卤代有机污染物检测方法加以改进，使其能够适应现在对卤代有机污染物检测使用的需要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决上述问题，设计了一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法。
2、实现上述目的本专利技术的技术方案为，一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，包括以下步骤：
3、(1)制作标准曲线：分别配置各种卤代有机污染物标准品的梯度浓度标准溶液，分别使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱检测分析，计算各成分的面积，以各成分峰面积对各成分在标准溶液中的实际浓度进行线性回归并得到标准曲线；
4、(2)制备待测样品液：待测电子电器塑料样品经预处理、萃取、净化及进一步净化，得到待测样品液；
5、(3)使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对步骤(2)所得待测样品液进行检测分析，计算得到各成分峰面积，将各成分的峰面积分别代入各自的标准曲线方程，得到各成分在待测样品液中的实际浓度，进一步计算得到各成分在待测电子塑料样品中的实际含量、各成分在待测塑料样品中的含量百分比。
6、对本技术方案的进一步补充，所述步骤(2)还包括以下步骤：
7、1)电子塑料预处理：将电子电器塑料样品剪切成小块，然后使用低温研磨机将其磨成粉末；
8、2)取0.100g样品粉末，置于10ml塑料离心管中；
9、3)加入10μl萃取内标-es混合，静置5min；
10、4)加入3ml1:1的乙腈:甲醇混合溶剂；
11、5)涡旋5min，超声30min，离心5min，转速8000r/min；
12、6)提取上清液至玻璃试管中；萃取步骤重复三次，合并上清液
13、7)置于40°纯氮气吹至约0.5ml；
14、8)加入10μl进样内标-is；
15、9)加入超纯水定容至1ml；
16、10)使用ptfe滤头过滤样品，进lc-ms分析。
17、对本技术方案的进一步补充，所述步骤1)使用低温研磨仪在-50℃的条件下对电子电器塑料样品进行研磨，使之成为粉末状，所述萃取内标为含有重氢或13c的卤代有机物，浓度为1ppm，最后混合后静置平衡20min。
18、对本技术方案的进一步补充，所述步骤6)所述萃取具体所用溶剂为甲醇/乙腈混合溶剂，混合溶剂中甲醇/乙腈体积比为1:1；每次萃取加入的溶剂体积与待测塑料干重样品质量的比例分别为30ml:1g。
19、对本技术方案的进一步补充，步骤4)中每次混匀时间为5min；经涡旋混匀后，使用超声仪超声30min，超声频率为40khz；经超声后，使用离心机离心5分钟，转速为8000r/min，收集上层，之后重复萃取步骤2次，合并三次萃取收集的上层，为萃取液。
20、对本技术方案的进一步补充，步骤7)-9)具体为：在40℃条件下氮吹浓缩至0.5ml，氮吹速度控制在1l/min，浓缩后转移至离心管中，定容所用溶剂为超纯水，定容至1ml，使样品溶液中有机相保持在50％左右；所述进样内标为含有重氢或13c的卤代有机物，浓度为5ppm，过滤所用滤膜材质为聚四氟乙烯，孔径0.22um。
21、对本技术方案的进一步补充，步骤(1)具体为：制作标准曲线：分别配置每种卤代有机污染物标准品的梯度浓度标准溶液，计算出各卤代有机污染物标准品在其标准溶液中的实际浓度，使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对标准溶液进行检测分析，根据质谱结果及各卤代有机污染物标准品的保留时间对检出峰进行定性，计算各成分的峰面积，以各卤代有机污染物标准品峰面积对在其标准溶液中的实际浓度进行线性回归并得到标准曲线。
22、对本技术方案的进一步补充，所述卤代有机污染物标准品为双氯酚、3-氯酚、六氯酚、氯乙酸、对氯间甲酚、五氯酚、对氯间二甲苯酚、四氯双酚a、5-溴-2,4-二羟基苯酸、4-溴-2-碘苯酚、2-碘苯酚、邻碘苯乙酸、2,4,6-三氯酚中的任一种或多种结合。
23、对本技术方案的进一步补充，步骤(3)具体为：待测样品液检测：使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对步骤(2)所得待测样品液进行检测分析，根据质谱结果及各成分保留时间对检出峰进行定性，然后计算得到各成分峰面积，将各成分的峰面积分别代入各自的标准曲线方程，得到各成分在待测样品液中的实际浓度，根据质量＝浓度*体积，计算得到各成分在待测样品液中的实际含量，即各成分在步骤(2)中的待测电子塑料样品的实际含量，进一步计算得到各成分在待测电子塑料样品中的含量百分比。
24、对本技术方案的进一步补充，所述超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱采用dionex ultimate 3000型高压液相色谱串联q-exactive四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱仪；色谱条件：水相a本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤1)使用低温研磨仪在-50℃的条件下对电子电器塑料样品进行研磨，使之成为粉末状，所述萃取内标为含有重氢或13C的卤代有机物，浓度为1ppm，最后混合后静置平衡20min。
4.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤6)所述萃取具体所用溶剂为甲醇/乙腈混合溶剂，混合溶剂中甲醇/乙腈体积比为1:1；每次萃取加入的溶剂体积与待测塑料干重样品质量的比例分别为30mL:1g。
5.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤4)中每次混匀时间为5min；经涡旋混匀后，使用超声仪超声30min，超声频率为40KHz；经超声后，使用离心机离心5分钟，转速为8000r/min，
6.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤7)-9)具体为：在40℃条件下氮吹浓缩至0.5mL，氮吹速度控制在1L/min，浓缩后转移至离心管中，定容所用溶剂为超纯水，定容至1mL，使样品溶液中有机相保持在50％左右；所述进样内标为含有重氢或13C的卤代有机物，浓度为5ppm，过滤所用滤膜材质为聚四氟乙烯，孔径0.22um。
7.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤(1)具体为：制作标准曲线：分别配置每种卤代有机污染物标准品的梯度浓度标准溶液，计算出各卤代有机污染物标准品在其标准溶液中的实际浓度，使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对标准溶液进行检测分析，根据质谱结果及各卤代有机污染物标准品的保留时间对检出峰进行定性，计算各成分的峰面积，以各卤代有机污染物标准品峰面积对在其标准溶液中的实际浓度进行线性回归并得到标准曲线。
8.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述卤代有机污染物标准品为双氯酚、3-氯酚、六氯酚、氯乙酸、对氯间甲酚、五氯酚、对氯间二甲苯酚、四氯双酚A、5-溴-2,4-二羟基苯酸、4-溴-2-碘苯酚、2-碘苯酚、邻碘苯乙酸、2,4,6-三氯酚中的任一种或多种结合。
9.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤(3)具体为：待测样品液检测：使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对步骤(2)所得待测样品液进行检测分析，根据质谱结果及各成分保留时间对检出峰进行定性，然后计算得到各成分峰面积，将各成分的峰面积分别代入各自的标准曲线方程，得到各成分在待测样品液中的实际浓度，根据质量＝浓度*体积，计算得到各成分在待测样品液中的实际含量，即各成分在步骤(2)中的待测电子塑料样品的实际含量，进一步计算得到各成分在待测电子塑料样品中的含量百分比。
10.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱采用Dionex Ultimate3000型高压液相色谱串联Q-Exactive四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱仪；色谱条件：水相A为2Mmol的乙酸铵的水溶液，有机相B为乙腈溶液；梯度洗脱：0～2min，20％B；2～8min，20％～80％B；8～10min，80％～95％B；10～12min，95％B；12～12.1min，95％～20％B，12.1min～15min，20％～0％进样量：5μL；流速：0.25mL/min；色谱柱为ACQUITY UPLC BEHC18色谱柱；质谱条件：采用HESI离子化方式；喷雾电压3.5kV；毛细管温度320℃；加热器温度350℃；S-lens射频水平55；鞘气45arb，辅助气10arb；扫描方式采用正负离子Full MS/dd-MS2模式，其中包括1次一级全扫描,1次数据依赖的二级扫描和1次非数据依赖的二级扫描3个事件，正、负离子扫描范围均为m/z 70～1050，碰撞能梯度为10、30、50eV。
...【技术特征摘要】
1.一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤1)使用低温研磨仪在-50℃的条件下对电子电器塑料样品进行研磨，使之成为粉末状，所述萃取内标为含有重氢或13c的卤代有机物，浓度为1ppm，最后混合后静置平衡20min。
4.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，所述步骤6)所述萃取具体所用溶剂为甲醇/乙腈混合溶剂，混合溶剂中甲醇/乙腈体积比为1:1；每次萃取加入的溶剂体积与待测塑料干重样品质量的比例分别为30ml:1g。
5.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤4)中每次混匀时间为5min；经涡旋混匀后，使用超声仪超声30min，超声频率为40khz；经超声后，使用离心机离心5分钟，转速为8000r/min，收集上层，之后重复萃取步骤2次，合并三次萃取收集的上层，为萃取液。
6.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤7)-9)具体为：在40℃条件下氮吹浓缩至0.5ml，氮吹速度控制在1l/min，浓缩后转移至离心管中，定容所用溶剂为超纯水，定容至1ml，使样品溶液中有机相保持在50％左右；所述进样内标为含有重氢或13c的卤代有机物，浓度为5ppm，过滤所用滤膜材质为聚四氟乙烯，孔径0.22um。
7.根据权利要求1所述的一种检测电子电器产品塑料中卤代有机污染物的方法，其特征在于，步骤(1)具体为：制作标准曲线：分别配置每种卤代有机污染物标准品的梯度浓度标准溶液，计算出各卤代有机污染物标准品在其标准溶液中的实际浓度，使用超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱高分辨质谱对标准溶液进行检测分析，根据质谱结果及各卤代有机污染物标准品的保留时间对检出峰进行定性，计算各成分的峰面积，以各卤代有机污染物标准品峰面积对在其标准溶液中的实际浓度...
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