【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延片表面台阶检测方法及装置。
技术介绍
1、半导体芯片制造过程中，为了防止离子注入过程中小尺寸离子通过硅原子间隙直接穿透硅片，导致不可控的离子扩散深度，在硅片制造过程中，晶棒在切割时，切割面与晶面成一定角度进行斜切，即晶向偏离(off–orientaton)。
2、这种斜切方法会使硅片表面形成高密度的原子级台阶。在外延生长时，气相分子沉积于衬底表面并迁移到原子台阶处。随着生长时间的延长，表面原子台阶不断得到延伸，因此衬底晶型在外延过程中得以重复。这就导致最终得到的外延硅片受台阶影响，表面抛光雾度(haze)很高。抛光雾度是指抛光后在晶圆表面留下的微浅缺陷损伤。
3、目前，抛光雾度信号(haze信号)一般仅用以表征硅片表面粗糙程度，但是并未对抛光雾度的形成机理以及抛光雾度信号进行进一步的运用。而针对硅片表面台阶，也只是通过afm(原子力显微镜)表征局部的台阶形貌，但是，对于台阶高度、宽度等均未进行完整的测量。并且，由于台阶高度很小，利用afm测量得到的台阶高度误差很大。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种外延片表面台阶检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用入射激光在外延片表面扫描，得到外延片表面抛光雾度信号，具体包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述抛光雾度信号，获取与外延片表面呈周期性结构的台阶所对应的布拉格衍射坐标图，具体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述抛光雾度信号，获取与外延片表面呈周期性结构的台阶所对应的布拉格衍射坐标图，具体还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述台阶高度变化曲...
【技术特征摘要】
1.一种外延片表面台阶检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用入射激光在外延片表面扫描，得到外延片表面抛光雾度信号，具体包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述抛光雾度信号，获取与外延片表面呈周期性结构的台阶所对应的布拉格衍射坐标图，具体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述抛光雾度信号，获取与外延片表面呈周期性结构的台阶所对应的布拉格衍射坐标图，具体还包括：
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，柯希恒，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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