【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及光刻,特别涉及一种版图的密度图像获取方法、系统及存储介质。
技术介绍
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技术介绍
1、在半导体集成电路的制造过程中,在用光刻模型预测出版图对应的光刻胶图像后,还需要运用刻蚀模型得到刻蚀后硅片表面轮廓,这时往往需要得到刻蚀图案的密度信息,刻蚀图案的密度会影响刻蚀速率,同一设计图案内图形密度的不同会导致刻蚀速率的不同,从而影响表面轮廓。
2、刻蚀图形密度图着重于蚀刻宏观负载和微观负载效应,通常,低负载区域总是导致该区域的蚀刻速率比平均值更高。这种蚀刻偏差的不均匀性会发生在不同的管芯和芯片周围。由于现有方法对每个像素对应的局部区域的计算是完全独立的,当局部区域的半径比相邻像素点间的距离(pixel size)大时,局部区域间将会存在大量的重叠部分,这将导致会对一些图形进行重复的计算,将极大增加计算的时间,使得全版图区域密度图像的计算时间难以接受。
技术实现思路
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技术实现思路
1、为提高全版图区域密度图像的计算效率,本专利技术提供
...【技术保护点】
1.一种版图的密度图像获取方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:所述像素点对应的预设影响区域为以像素点为中心,1-2倍预设边长的方形区域。
3.如权利要求1所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:获取初始版图中的预设待计算区域具体包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:以预设离散像素值基于高斯分布将预设待计算区域离散化具体包括以下步骤:
5.如权利要求4所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:计算每一提取图形内刻蚀区域与该提取图形
...【技术特征摘要】
1.一种版图的密度图像获取方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:所述像素点对应的预设影响区域为以像素点为中心,1-2倍预设边长的方形区域。
3.如权利要求1所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:获取初始版图中的预设待计算区域具体包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:以预设离散像素值基于高斯分布将预设待计算区域离散化具体包括以下步骤:
5.如权利要求4所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:计算每一提取图形内刻蚀区域与该提取图形的预设重叠面积得到实际待计算区域之前还包括如下步骤:
6.如权利要求5所述的版图的密度图像获取方法,其特征在于:计算每一提取图形内刻蚀区域与该提取图形的预设重叠面积得到实际待计算区域具体包...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈锡恒,
申请(专利权)人:东方晶源微电子科技北京股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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