【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体显示，更具体地说，是涉及一种晶圆制备杂物清除装置。
技术介绍
1、当下半导体显示机台(蚀刻机)制备晶圆(wafer)时，晶圆制备的传输路径为：
2、foup—loadport—fi—loadlock—buffer—chamber
3、—buffer—loadlock–fi–loadport–foup。
4、晶圆加工过程中，需要将wafer放在foup里面，然后foup登录在loadport后，打开foup的盒体开闭门，对wafer进行传输，未加工的wafer按照上述路径传入chamber进行加工，加工完成后的wafer再传输至原来的foup位置处，foup的盒体开闭门关闭，这样就会出现盒体开闭门频繁开闭的情形，在频繁开闭过程中，产生的微尘(particle)很容易落入wafer表面(未加工的和已加工的)；同时已加工的wafer表面本身也带有工艺气体残留和反应生成物，微尘和气体残留及反应生成物落在晶圆表面影响产品性能。而现有技术中，在晶圆制备生产线，实际情况是工厂内部一直处于负压状态；现有技术中使用氮气对晶圆盒体进行吹扫，以清楚杂物，而氮气管道是安装在承载晶圆盒装置底部位置，这意味着吹扫方式是从下往上吹；工厂内部负压是给大气时是从上往下的力，氮气吹扫是从下往上的力，这样就会相冲，影响氮气进行吹扫的效果。备注：foup：front opening unified pod，晶圆存放盒体；loadport：蚀刻设备盒体存放部件；buffer：设备缓冲区间；chamber：设备工艺反应腔
5、现有技术中有名称为“晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备”、公开号为“109786297a”的技术，该技术涉及半导体制造
，其中，该晶圆传送装置包括传送腔、氮气输出器，以及设置在传送腔入口处的密闭闸门；氮气输出器用于在晶圆进入传送腔的过程中，至密闭闸门关闭之前，向传送腔充入氮气，且使传送腔内的气压高于传送腔外的气压。解决了现有技术中存在的水汽及微尘颗粒掉落在晶圆上导致晶圆的产品良率下降的技术问题，能够改善产品的良率。然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，在保证晶圆存放盒体的盒体开闭门根据需要正常开闭的前提下，有效将进入晶圆存放盒体内的微尘和气体残留及反应生成物带走，避免微尘和气体残留及反应生成物落在晶圆(未加工的和已加工的)表面，从而有效提高产品良率的晶圆制备杂物清除装置。
2、要解决以上所述的技术问题，本技术采取的技术方案为：
3、本技术为一种晶圆制备杂物清除装置，包括晶圆存放盒体、蚀刻设备盒体存放部件，晶圆存放盒体底部设置开孔部，蚀刻设备盒体存放部件设置盒体存放位，盒体存放位设置部件通道，部件通道内设置真空管道，真空管道上部边沿部位连接部件通道上部边沿部位。
4、所述的晶圆存放盒体侧面设置盒体开闭门。
5、所述的真空管道设置为上大下小的喇叭口状结构。
6、所述的真空管道下部延伸到部件通道外部连通真空泵。
7、所述的蚀刻设备盒体存放部件上按间隙设置多个盒体存放位，每个盒体存放位分别设置部件通道。
8、每个部件通道内设置一个真空管道，每个真空管道上部边沿部位分别连接对应部件通道上部边沿部位，每个真空管道下部连通总真空管道，总真空管道连接真空泵。
9、所述的蚀刻设备盒体存放部件靠近设备缓冲区间，设备缓冲区间靠近设备工艺反应腔体。
10、所述的蚀刻设备盒体存放部件和设备工艺反应腔体之间设置设备传送部件。
11、所述的开孔部在晶圆存放盒体底部设置多个。
12、采用本技术的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
13、本技术所述的晶圆制备杂物清除装置，在晶圆加工过程中，无论是未加工的晶圆取出时还是加工的晶圆放入时，都需要频繁打开盒体开闭门，而在盒体开闭门频繁打开关闭过程中，微尘和工艺气体残留及反应生成物很容易落入wafer表面。为此，在结构设置时，在晶圆存放盒体底部设置开孔部，而蚀刻设备盒体存放部件设置盒体存放位，盒体存放位设置部件通道，部件通道内设置真空管道，真空管道上部边沿部位连接部件通道上部边沿部位，这样，真空管道上部有效覆盖晶圆存放盒体底部，真空管道与真空泵连通，在盒体开闭门打开或关闭时，启动真空泵，真空泵使得真空管道内产生负压，将微尘和工艺气体残留及反应生成物吸走，吸走的微尘和工艺气体残留被吸入回收箱体内，避免微尘和工艺气体残留及反应生成物落在晶圆表面。
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1.一种晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：包括晶圆存放盒体(1)、蚀刻设备盒体存放部件(2)，晶圆存放盒体(1)底部设置开孔部(3)，蚀刻设备盒体存放部件(2)设置盒体存放位(4)，盒体存放位(4)设置部件通道(5)，部件通道(5)内设置真空管道(6)，真空管道(6)上部边沿部位连接部件通道(5)上部边沿部位。
2.根据权利要求1所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的晶圆存放盒体(1)侧面设置盒体开闭门(12)。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的真空管道(6)设置为上大下小的喇叭口状结构。
4.根据权利要求3所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的真空管道(6)下部延伸到部件通道外部连通真空泵(7)。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的蚀刻设备盒体存放部件(2)上按间隙设置多个盒体存放位(4)，每个盒体存放位(4)分别设置部件通道(5)。
6.根据权利要求5所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：每个部件通道(5)内设置一个真空管道(6)
7.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的蚀刻设备盒体存放部件(2)靠近设备缓冲区间(9)，设备缓冲区间(9)靠近设备工艺反应腔体(10)。
8.根据权利要求7所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的蚀刻设备盒体存放部件(2)和设备工艺反应腔体(10)之间设置设备传送部件(11)。
9.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的开孔部(3)在晶圆存放盒体(1)底部设置多个。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：包括晶圆存放盒体(1)、蚀刻设备盒体存放部件(2)，晶圆存放盒体(1)底部设置开孔部(3)，蚀刻设备盒体存放部件(2)设置盒体存放位(4)，盒体存放位(4)设置部件通道(5)，部件通道(5)内设置真空管道(6)，真空管道(6)上部边沿部位连接部件通道(5)上部边沿部位。
2.根据权利要求1所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的晶圆存放盒体(1)侧面设置盒体开闭门(12)。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的真空管道(6)设置为上大下小的喇叭口状结构。
4.根据权利要求3所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的真空管道(6)下部延伸到部件通道外部连通真空泵(7)。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆制备杂物清除装置，其特征在于：所述的蚀刻设备盒体存放部件(2)上按...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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