【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件的制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，人们对集成电路性能的要求越来越高。氢化物气体的薄膜沉积，而氢可以很容易扩散进入下面的外延薄膜中，降低半导体器件的栅控制能力，进而限制或降低半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，以解决半导体器件存在栅控制能力较低，限制或降低半导体器件的性能的问题。
2、为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：
4、衬底；
5、设置于衬底一侧的缓冲层；
6、设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；
7、设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；
8、设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的中断层；
9、设置于中断层远离衬底一侧的栅极；
10、沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖半导
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：>
10.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，刘成名，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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