【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件的制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，人们对集成电路性能的要求越来越高。氢化物气体的薄膜沉积，而氢可以很容易扩散进入下面的外延薄膜中，降低半导体器件的栅控制能力，进而限制或降低半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，以解决半导体器件存在栅控制能力较低，限制或降低半导体器件的性能的问题。
2、为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：
4、衬底；
5、设置于衬底一侧的缓冲层；
6、设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；
7、设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；
8、设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的中断层；
9、设置于中断层远离衬底一侧的栅极；
10、沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖半导体掺杂层。
11、可选的，中断层的材料包括氮气、氦气或含氮半导体材料。
12、可选的，中断层通过脉冲式等离子掺杂形成。
13、可选的，半导体掺杂层包括p型掺杂层，p型掺杂层包括掺杂mg的gan层；
14、缓冲层的材料包括gan；
15、电子传输层的材料包括algan；
16、栅极的材料包括氮化钛、氮化钽或氮化钨。
18、钝化层，钝化层设置于栅极远离衬底的一侧。
19、可选的，钝化层的材料包括氧化物或氮化物。
20、可选的，中断层的厚度范围包括1nm～3nm。
21、可选的，半导体器件，还包括：
22、第一半导体层，第一半导体层设置于缓冲层和电子传输层之间；
23、第一半导体层的材料包括氮化铝。
24、根据本专利技术的另一方面，本实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括：
25、提供衬底；
26、在所述衬底的一侧形成缓冲层；
27、在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成电子传输层；
28、在所述电子传输层远离所述衬底的一侧形成半导体掺杂层；
29、在所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧进行掺杂，形成中断层；其中，沿所述半导体器件的厚度方向，所述中断层至少部分覆盖所述半导体掺杂层；
30、在所述中断层远离所述衬底的一侧形成栅极。
31、可选的，在所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧形成栅极之后，还包括：
32、图案化所述栅极、所述中断层及所述半导体掺杂层；
33、在图案化的所述栅极远离所述衬底的一侧形成钝化层。
34、本专利技术实施例提供的半导体器件通过在半导体掺杂层和栅极之间设置中断层，且沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖半导体掺杂层，使得中断层可以保护半导体掺杂层，使得在制作栅极或清洗等后续制程中的氢化物气体的薄膜沉积中，中断层可以较好的阻挡h的透过，避免h与半导体掺杂层中的金属离子结合。这样设置可以使得半导体掺杂层的掺杂浓度较高，从而改善半导体器件的栅电压控制能力，降低半导体器件的阈值电压，改善半导体器件的稳定性。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧形成栅极之后，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，刘成名，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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