【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池。
技术介绍
1、现有的晶体硅太阳能电池的制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，扩散是制备太阳能电池的一个关键步骤；传统的扩散工艺在发射极区域会出现较高的接触电阻和比较严重的死层问题，而仅仅通过调整一步扩散工艺的制程是无法同时解决接触电阻和死层的问题，所以传统的扩散工艺限制了短路电流、开路电压、填充因子和效率的提高。
2、一种改善的方法是采用选择性发射极，即在磷扩散工序后加一道正面激光工序，选择性的进行重掺杂；重掺杂提升了掺杂浓度；降低了银浆与硅片之间的欧姆接触，进而提高了填充因子；提升了太阳能电池的性能。同时这种工艺使得非电极区域可具有较低的表面掺杂浓度，从而能够减少发生表面复合的可能性，以解决死层的问题。
3、然而，太阳能电池的非电极区域的表面掺杂浓度还可以进一步降低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，至少有利于解决衬底。
2、根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面；采用第一沉积工艺，在所述第一面形成第一掺杂源层，所述第一掺杂源层内具有目标掺杂元素，所述第一沉积工艺在第一压强下进行，且所述第一沉积工艺期
3、在一些实施例中，所述第一压强与所述第二压强之差为50mbar-250mbar。
4、在一些实施例中，所述第一压强为50mbar-150mbar，所述第二压强为100mbar-300mbar。
5、在一些实施例中，所述第一气体流量和所述第二气体流量之差为50sccm-300sccm。
6、在一些实施例中，所述第一气体流量为100sccm-300sccm，所述第二气体流量为150sccm-400sccm。
7、在一些实施例中，所述第一掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度小于所述第二掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度。
8、在一些实施例中，所述第二沉积工艺中，还将所述第一掺杂源层转化为第三掺杂源层，所述第三掺杂源层的目标掺杂元素浓度大于所述第一掺杂源层的目标掺杂元素浓度，且小于所述第二掺杂源层的目标掺杂元素浓度。
9、在一些实施例中，所述第一沉积工艺的时间小于所述第二沉积工艺的时间。
10、在一些实施例中，形成所述发射极的步骤提供的工艺温度大于所述第二沉积工艺提供的工艺温度，且大于所述第一沉积工艺提供的工艺温度。
11、在一些实施例中，所述第一沉积工艺提供的工艺温度小于或等于所述第二沉积工艺提供的工艺温度。
12、在一些实施例中，在进行第一沉积工艺之前，还对所述第一面进行预氧化，以将部分厚度的所述衬底转化为氧化层。
13、在一些实施例中，在形成所述发射极之后，还包括：对所述发射极进行激光处理，以形成选择性发射极；去除所述第一掺杂源层和所述第二掺杂源层。
14、根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池由前述实施例中任一项所述的太阳能电池的制造方法形成。
15、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
16、本申请实施例提供的太阳能电池的制造方法，通过两次沉积步骤，在第一面上形成掺杂源层，其中，第一沉积工艺提供的压强要小于第二沉积工艺提供的压强，且第一沉积工艺提供的掺杂源气体的流量要小于第二沉积工艺提供的掺杂源气体的流量，以使得第一掺杂源层掺杂的目标掺杂元素的浓度小于第二掺杂源层掺杂的目标掺杂元素的浓度。如此，在推进步骤中，目标掺杂元素由掺杂浓度较高第二掺杂源层经第一掺杂源层向衬底中推进，且第二掺杂源层中的目标掺杂元素由第二掺杂源层扩散至第一掺杂源层，能够促使目标掺杂元素由第一掺杂源层向衬底推进，避免过多目标掺杂元素沉积在第一面，并为形成发射极提供了充足的目标掺杂元素来源，以提高形成的发射极中的目标掺杂元素的含量，从而为后续步骤形成选择性发射极提供充足的目标掺杂元素；且相较于一步沉积掺杂源层并推进的方案，本申请实施例通过两步沉积具有不同浓度的掺杂源层并推进的方案，更有利于控制第一面掺杂的目标掺杂元素的浓度较低，从而防止第一面掺杂浓度过高复合严重而形成死层，有利于提高形成的太阳能电池的光电转换效率；此外，第二掺杂源层和第一掺杂源层具有一定的吸杂能力，能够吸收衬底中的金属杂质和缺陷，且第二沉积工艺形成第二掺杂源层掺杂的目标掺杂元素的浓度较高，有利于提高第二掺杂源层对衬底的吸杂能力，防止金属杂质进入衬底内部发生复合反应造成效率衰减，从而能够提高太阳能电池的光电转换效率。
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1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强与所述第二压强之差为50mbar-250mbar。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强为50mbar-150mbar，所述第二压强为100mbar-300mbar。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量和所述第二气体流量之差为50sccm-300sccm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量为100sccm-300sccm，所述第二气体流量为150sccm-400sccm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度小于所述第二掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二沉积工艺中，还将所述第一掺杂源层转化为第三掺杂源层，所述第三掺杂源层的目标掺杂元素浓度大于所述第一掺杂
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的时间小于所述第二沉积工艺的时间。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成所述发射极的步骤提供的工艺温度大于所述第二沉积工艺提供的工艺温度，且大于所述第一沉积工艺提供的工艺温度。
10.根据权利要求1-9任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一沉积工艺提供的工艺温度小于或等于所述第二沉积工艺提供的工艺温度。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在进行第一沉积工艺之前，还对所述第一面进行预氧化，以将部分厚度的所述衬底转化为氧化层。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成所述发射极之后，还包括：对所述发射极进行激光处理，以形成选择性发射极；去除所述第一掺杂源层和所述第二掺杂源层。
13.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1-12任一项所述的太阳能电池的制造方法形成。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强与所述第二压强之差为50mbar-250mbar。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强为50mbar-150mbar，所述第二压强为100mbar-300mbar。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量和所述第二气体流量之差为50sccm-300sccm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量为100sccm-300sccm，所述第二气体流量为150sccm-400sccm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度小于所述第二掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二沉积工艺中，还将所述第一掺杂源层转化为第三掺杂源层，所述第三掺杂源层的目标掺杂元素浓度大于所述第一掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：金维剑，郭金鑫，杨潇，苗劲飞，苗丽燕，曾庆云，邱彦凯，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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