【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池。
技术介绍
1、现有的晶体硅太阳能电池的制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，扩散是制备太阳能电池的一个关键步骤；传统的扩散工艺在发射极区域会出现较高的接触电阻和比较严重的死层问题，而仅仅通过调整一步扩散工艺的制程是无法同时解决接触电阻和死层的问题，所以传统的扩散工艺限制了短路电流、开路电压、填充因子和效率的提高。
2、一种改善的方法是采用选择性发射极，即在磷扩散工序后加一道正面激光工序，选择性的进行重掺杂；重掺杂提升了掺杂浓度；降低了银浆与硅片之间的欧姆接触，进而提高了填充因子；提升了太阳能电池的性能。同时这种工艺使得非电极区域可具有较低的表面掺杂浓度，从而能够减少发生表面复合的可能性，以解决死层的问题。
3、然而，太阳能电池的非电极区域的表面掺杂浓度还可以进一步降低。
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强与所述第二压强之差为50mbar-250mbar。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强为50mbar-150mbar，所述第二压强为100mbar-300mbar。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量和所述第二气体流量之差为50sccm-300sccm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强与所述第二压强之差为50mbar-250mbar。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一压强为50mbar-150mbar，所述第二压强为100mbar-300mbar。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量和所述第二气体流量之差为50sccm-300sccm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一气体流量为100sccm-300sccm，所述第二气体流量为150sccm-400sccm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度小于所述第二掺杂源层中的所述掺杂元素的浓度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二沉积工艺中，还将所述第一掺杂源层转化为第三掺杂源层，所述第三掺杂源层的目标掺杂元素浓度大于所述第一掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：金维剑，郭金鑫，杨潇，苗劲飞，苗丽燕，曾庆云，邱彦凯，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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