【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器及其制备方法。
技术介绍
1、存储器(例如，动态随机存取存储器(dram))通常包括存储阵列电路和外围电路，存储阵列电路一般由多个阵列排布的存储单元组成，存储单元一般由一个晶体管和一个电容组成。目前dram的制备工艺流程复杂，信号互连路径长，限制了dram的存储能力和集成度。
2、如何优化dram的结构和工艺以实现更高的集成度成为亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底内的多个电容；位于所述衬底上方的多个有源柱体；其中，所述多个有源柱体一一对应设置于所述多个电容的上方，且每一所述有源柱体的底部与其下方的所述电容的顶部电连接。
2、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：沿第一方向延伸的多条字线，所述字线位于所述衬底上方，且所述字线包裹所述有源柱体的侧壁；沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多条位线，所述位线位于所述有源柱体的上方，且所述位线的底部与所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱体的材料包括氧化铟镓锌。
6.一种存储器，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第二芯片位于所述第一芯片的下方，所述第二芯片在竖直方向上的投影覆盖所述第一芯片在竖直方向上的投影。
8.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱体的材料包括氧化铟镓锌。
6.一种存储器，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第二芯片位于所述第一芯片的下方，所述第二芯片在竖直方向上的投影覆盖所述第一芯片在竖直方向上的投影。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，还包括：
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
10....
【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，李宗翰，刘志拯，杨怀伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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