一种陶瓷及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种陶瓷，该陶瓷物相含有：30‑70wt％的BaAl12O19、0.5‑4.66wt％的3Al2O3·2SiO2，25.34‑69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。本发明专利技术还提供了该陶瓷的制备方法和应用。本发明专利技术的陶瓷兼顾材料密度相对较低、抗冲击性能较高、且烧结温度较低，有利于大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷领域，具体涉及陶瓷及其制备方法和应用。

技术介绍

1、现有陶瓷如氧化钇稳定氧化锆陶瓷用于电子产品外壳时，密度较高，导致产品较重，且其介电常数较高，会一定程度上影响电子产品信号的稳定传输。一种现有技术公开了在氧化锆陶瓷中加入氧化铝进而降低生成的陶瓷材料密度和介电常数，但是该陶瓷的抗冲击性能有所下降，如需要得到符合工业化产品要求的致密性要求的陶瓷，需要烧结温度达到1600度甚至以上。因此，研发出材料密度相对较低、抗冲击性能较高，且烧结温度较低的陶瓷变得重要。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有陶瓷兼顾材料密度相对较低、抗冲击性能较高、且烧结温度较低的问题，提供了一种陶瓷及其制备方法和应用。

2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种陶瓷，其中该陶瓷物相含有：30-70wt％的baal12o19、0.5-4.66wt％的3al2o3·2sio2(即莫来石)，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。

3、优选地，该陶瓷物相含有：40-60wt％的ba本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷，其特征在于，该陶瓷物相含有：30-70wt％的BaAl12O19、0.5-4.66wt％的3Al2O3·2SiO2，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。

2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中，该陶瓷物相含有：40-60wt％的BaAl12O19、0.67-4wt％的3Al2O3·2SiO2，36-59.33wt％氧化钇稳定氧化锆。

3.根据权利要求1所述的陶瓷，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。

4.根据权利要求2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的落锤冲击测试结果中，平均落锤高度大于等于2...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷，其特征在于，该陶瓷物相含有：30-70wt％的baal12o19、0.5-4.66wt％的3al2o3·2sio2，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。

2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中，该陶瓷物相含有：40-60wt％的baal12o19、0.67-4wt％的3al2o3·2sio2，36-59.33wt％氧化钇稳定氧化锆。

3.根据权利要求1所述的陶瓷，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。

4.根据权利要求2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的落锤冲击测试结果中，平均落锤高度大于等于25cm。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的致密性测试结果中，每10×10mm范围内坑点粒径大于20μm的坑点平均数量数为0。

6.根据权利要求1所述陶瓷，其中，制备所述陶瓷需要的烧结温度等于或小于1500摄氏度。

7.一种陶瓷的制备方法，包括：

8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈戈，林信平，陈军超，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：