【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷领域，具体涉及陶瓷及其制备方法和应用。
技术介绍
1、现有陶瓷如氧化钇稳定氧化锆陶瓷用于电子产品外壳时，密度较高，导致产品较重，且其介电常数较高，会一定程度上影响电子产品信号的稳定传输。一种现有技术公开了在氧化锆陶瓷中加入氧化铝进而降低生成的陶瓷材料密度和介电常数，但是该陶瓷的抗冲击性能有所下降，如需要得到符合工业化产品要求的致密性要求的陶瓷，需要烧结温度达到1600度甚至以上。因此，研发出材料密度相对较低、抗冲击性能较高，且烧结温度较低的陶瓷变得重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服现有陶瓷兼顾材料密度相对较低、抗冲击性能较高、且烧结温度较低的问题，提供了一种陶瓷及其制备方法和应用。
2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种陶瓷，其中该陶瓷物相含有：30-70wt％的baal12o19、0.5-4.66wt％的3al2o3·2sio2(即莫来石)，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。
3、优选地，该陶瓷物相含有：40-60wt％的baal12o19、0.67-4wt％的3al2o3·2sio2,36-59.33wt％氧化钇稳定氧化锆。
4、可选地，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。
5、优选地，所述陶瓷的落锤冲击测试结果中，平均落锤高度大于等于25cm。
6、优选地，所述陶瓷的致密性测试结果中，每10×10mm范围内坑点粒径
7、可选地，制备上述陶瓷需要的烧结温度等于或小于1500摄氏度。
8、本专利技术第二方面提供一种陶瓷的制备方法，包括：
9、(1)将含有氧化钡、氧化铝、氧化钇稳定的氧化锆、3al2o3·2sio2(即莫来石)的粉体，加水、分散剂和粘结剂进行湿磨，得到浆料；
10、(2)将所述浆料进行干燥，得到陶瓷粉体；
11、(3)将所述陶瓷粉体进行成型，然后在空气中进行烧结，得到陶瓷。
12、所述粉体中，氧化钡的含量为6.01-14.02wt％、氧化铝的含量为23.98-55.95wt％、氧化钇稳定氧化锆的含量为25.34-69.5wt％、3al2o3·2sio2的含量为0.5-4.66wt％；
13、优选地，氧化钡的含量为8.01-12.02wt％、氧化铝的含量为31.97-47.96wt％、氧化钇稳定氧化锆的含量为36-59.33wt％、3al2o3·2sio2的含量为0.67-4wt％。
14、可选地，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)
15、可选地，所述成型可采用干压成型、等静压成型、注射成型、热压铸成型中的一种。
16、可选地，所述分散剂选自羟丙甲纤维素、羧甲基纤维素钠和三乙醇胺中的至少一种；所述粘结剂选自聚乙烯醇和/或聚乙二醇4000；
17、可选地，所述分散剂的加入量为所述粉体的0.005-0.5重量％，优选为0.01-0.1重量％；
18、可选地，所述粘结剂的加入量为所述粉体的0.5-5重量％，优选为2-5重量％；
19、优选地，所述浆料的固含量为20-60重量％，优选为25-55重量％。
20、优选地，所述烧结的程序包括：从室温经400min升温至600℃并保温2h，从600℃经300min升温至1150℃并保温2h，从1150℃经150min升温至1400-1500℃并保温1-2h，然后经过150min降温至900℃，最后自然冷却至室温。
21、本专利技术第三方面提供一种由本专利技术的制备方法制得的陶瓷。
22、本专利技术第四方面提供一种本专利技术提供的陶瓷在制备电子产品外壳中的应用。
23、本专利技术的陶瓷引入baal12o19，使得获得的陶瓷材料密度较低，现有技术的氧化铝改性氧化锆陶瓷虽然具有较低密度，但是其抗冲击性能较低，而本专利技术的陶瓷的抗冲击性能很不错，本专利技术的专利技术人分析认为baal12o19在高温下晶粒变长形成晶须，因此增强了本专利技术陶瓷的抗冲击性。且本专利技术的陶瓷相对于现有的氧化钇稳定氧化锆陶瓷，介电常数较低，有利于其应用于电子产品中的信号稳定传输。本专利技术的陶瓷材料中引入3al2o3·2sio2(即莫来石)可大幅降低烧结温度且一定程度上有利于进一步提升抗冲击性，使得到致密性合格的陶瓷(即所述陶瓷的致密性测试结果中，每10×10mm范围内坑点粒径大于20μm的坑点平均数量数为0)所需要的烧结温度等于或小于1500度，烧结温度较低对于烧结炉的要求不高有利于大规模的工业化生产，且烧结温度低有利于节约能源，绿色生产。
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1.一种陶瓷，其特征在于，该陶瓷物相含有：30-70wt％的BaAl12O19、0.5-4.66wt％的3Al2O3·2SiO2，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。
2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中，该陶瓷物相含有：40-60wt％的BaAl12O19、0.67-4wt％的3Al2O3·2SiO2，36-59.33wt％氧化钇稳定氧化锆。
3.根据权利要求1所述的陶瓷，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。
4.根据权利要求2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的落锤冲击测试结果中，平均落锤高度大于等于25cm。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的致密性测试结果中，每10×10mm范围内坑点粒径大于20μm的坑点平均数量数为0。
6.根据权利要求1所述陶瓷，其中，制备所述陶瓷需要的烧结温度等于或小于1500摄氏度。
7.一种陶瓷的制备方法，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述粉体中，氧化钡的含量为6.01-14.02w
9.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述粉体中，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述成型采用干压成型、等静压成型、注射成型、热压铸成型中的一种。
11.根据权利要求7所述的制备方法，其中，步骤(1)中，所述分散剂选自羟丙甲纤维素、羧甲基纤维素钠和三乙醇胺中的至少一种；所述粘结剂选自聚乙烯醇和/或聚乙二醇4000；
12.根据权利要求7所述的制备方法，其中，
13.一种由权利要求7-12中的任意一项所述的制备方法制得的陶瓷。
14.一种权利要求1-6和13中任意一项所述的陶瓷在制备电子产品外壳中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷，其特征在于，该陶瓷物相含有：30-70wt％的baal12o19、0.5-4.66wt％的3al2o3·2sio2，25.34-69.5wt％为氧化钇稳定氧化锆。
2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中，该陶瓷物相含有：40-60wt％的baal12o19、0.67-4wt％的3al2o3·2sio2，36-59.33wt％氧化钇稳定氧化锆。
3.根据权利要求1所述的陶瓷，氧化钇稳定氧化锆所含的氧化钇与氧化锆的摩尔比为(1.5-4)：(98.5-96)。
4.根据权利要求2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的落锤冲击测试结果中，平均落锤高度大于等于25cm。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷，其中，所述陶瓷的致密性测试结果中，每10×10mm范围内坑点粒径大于20μm的坑点平均数量数为0。
6.根据权利要求1所述陶瓷，其中，制备所述陶瓷需要的烧结温度等于或小于1500摄氏度。
7.一种陶瓷的制备方法，包括：
8.根据权...
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