蚀刻方法技术

公开了一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的连续或循环蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下步骤：将由包含N<subgt;2</subgt;和H<subgt;2</subgt;且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上，以改性金属碳化物的表面；以及通过离子辐射或通过加热去除金属碳化物上的改性表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种蚀刻方法。

技术介绍

1、半导体器件的三维结构的高级制造需要选择性地去除一种或多种材料，而不去除在制造期间未损坏的任何其他材料。这能够控制各向同性蚀刻技术和由含钛化合物制成的多种金属栅极材料。

2、功函数金属栅极可以用于鳍型场效应晶体管(finfet)中的多层堆叠结构中。在这些金属栅极中，三元化合物tialc对n型finfet的阈值电压和半导体制造工艺的热阻具有良好的可控性。为了制造finfet，可以在不去除任何非靶向材料的情况下蚀刻该tialc膜，非靶向材料例如用于p型finfet的tin金属栅极，其暴露在tialc周围的区域中或出现在tialc膜下面。需要tialc对金属化合物、绝缘体和半导体(例如tin、tan、hfo2、si等)的选择性。

3、在本专利技术之前，应用使用h2o2混合物的湿法蚀刻。通过选择化学物质，该湿法蚀刻使我们能够去除tialc膜，然而，由于蚀刻速率低和选择性不足，这种湿法蚀刻将会损坏其他暴露的材料，从而导致处理时间延长。

4、在相关技术中，在us2015/0132953a1中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的连续蚀刻方法，所述方法包括以下步骤：将由包含N2和H2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上，以改性所述金属碳化物的表面；以及通过离子辐射去除所述金属碳化物上的改性的表面。

2.一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的循环蚀刻方法，所述方法包括以下步骤的一个或多个循环：通过将由包含N2和H2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上来改性所述金属碳化物的表面；以及通过离子辐射从所述金属碳化物的表面去除改...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的连续蚀刻方法，所述方法包括以下步骤：将由包含n2和h2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上，以改性所述金属碳化物的表面；以及通过离子辐射去除所述金属碳化物上的改性的表面。

2.一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的循环蚀刻方法，所述方法包括以下步骤的一个或多个循环：通过将由包含n2和h2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上来改性所述金属碳化物的表面；以及通过离子辐射从所述金属碳化物的表面去除改性的表面。

3.一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的循环蚀刻方法，所述方法包括以下步骤的一个或多个循环：通过将由包含n2和h2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮氏翠儿，石川健治，堀胜，筱田和典，滨村浩孝，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：