一种二（二乙基氨基）硅烷的制备方法技术

本发明专利技术涉及化工合成技术领域，尤其涉及一种二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，所述方法包括以下制备步骤：使用保护气体将反应釜内空气置换，向反应釜中加入二乙胺和己烷，在搅拌条件下缓慢添加二氯硅烷进行反应，反应过程中持续通入保护气体使反应体系保持恒定微正压，制备得到二(二乙基氨基)硅烷；其中，所述保护气体至少含有氢气。本发明专利技术制备方法以现有的二(二乙基氨基)硅烷制备体系为基础，通过向反应体系中引入氢气并控制其体积占比、控制反应温度以及原料摩尔比，无需添加额外助剂，制得的二(二乙基氨基)硅烷的收率最高可达到96.03％，收率提高了20％左右，产物气相色谱纯度在99.5％左右，安全性好且经济效益高，适合工业化推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化工合成，尤其涉及一种二(二乙基氨基)硅烷的制备方法。

技术介绍

1、有机氨基硅烷前驱体可以用于各种沉积工艺，包括但不限于原子层沉积(ald)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、低压化学气相沉积(lpcvd)和常压化学气相沉积，从而制备含硅薄膜，例如氧化硅膜、氮化硅膜、碳氮硅膜、氧氮硅膜等，其中氧化硅膜和氮化硅膜具有非常优良的阻挡性和抗氧化性，所以它们在制造装置中用作绝缘膜、扩散阻挡层、硬掩模、蚀刻停止层、种子层、间隔物、沟槽隔离、金属间介电材料和保护膜层。其中二(二乙基氨基)硅烷(bdeas)是半导体领域中用于各种沉积工艺制造含硅薄膜的有机氨基硅烷热门前驱体之一，二(二乙基氨基)硅烷的制备也成为技术人员的研究重点，目前二(二乙基氨基)硅烷的制备通常利用氯硅烷和烷基胺反应得到，在实际工业生产中反应收率在76.5％左右，存在收率较低的问题。

2、中国专利cn108084219b中公开了一种二(二乙基氨基)硅烷合成方法，以二氯硅烷和二乙基胺为原料，以己烷作为溶剂，在40-60℃温度条件下，经白土催化剂催高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氢气与其他惰性气体的混合气体；

3.根据权利要求2所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体中，氢气的体积占比为10％～100％。

4.根据权利要求3所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体中，氢气的体积占比为10％～20％。

5.根据权利要求1所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述二乙胺、二氯硅烷、己烷的摩尔比为(4.1～4.3)...

【技术特征摘要】

1.一种二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氢气与其他惰性气体的混合气体；

3.根据权利要求2所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体中，氢气的体积占比为10％～100％。

4.根据权利要求3所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述保护气体中，氢气的体积占比为10％～20％。

5.根据权利要求1所述的二(二乙基氨基)硅烷的制备方法，其特征在于，所述二乙胺、二氯硅烷、己烷的摩尔比为(4.1～4.3)：1：(10～15)。

6.根据权利要求1所述的二(二乙基氨基)硅烷的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙胜亚，
申请(专利权)人：武汉启创半导体材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：