【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于真空共晶炉上的密封装置，属于半导体器件制备领域。
技术介绍
1、真空共晶炉是芯片焊接加工领域中一种常见设备，其采用真空腔体的方式，将芯片放置在腔体内的加热台上，利用加热台的升温和降温控制，完成芯片焊接过程。升温过程采用加热管件进行加热，以形成所需的加热曲线，使加热台快速升温。降温过程采用冷却管件进行快速降温，以最大限度的使加热台温度快速降低，方便焊点固化和芯片卸载。所以，相应的加热管件和降温管件都需要穿入或穿出真空腔体，以便与外界电源或冷却液相连，于是，对此类管件进行密封处理就成为必然。
2、现有真空共晶炉上使用的此类密封装置都为常规的一道密封，制作中，要求密封口与待密封件外径尺寸保持高度一致，稍有偏差或缺陷就会产生漏气，影响密封效果。
3、如公开号为cn205534635u,专利申请名称为一种用于真空共晶炉上的密封装置，揭示了采用二道密封的方式，将真空腔体内部以及待密封管件表面分别与外部进行密封，保证了密封效果，提高了密封可靠性；第一高温密封圈通过挤压变形形成密封，第二高温密封圈通过导棱槽的引...
【技术保护点】
1.一种用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，包括贯穿炉箱本体(10)上的管件(20)；
2.根据权利要求1所述的用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，所述密封圈(40)包含互相垂直的水平部(41)和竖直部(42)；所述竖直部(42)内部设置有供管件(20)贯穿通过的安装孔(43)。
3.根据权利要求2所述的用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，所述竖直部(42)包含保温层(421)和包裹所述保温层(421)的膨胀圈(422)。
4.根据权利要求3所述的用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，所述保温层(421)为蜂窝状。p>
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，包括贯穿炉箱本体(10)上的管件(20)；
2.根据权利要求1所述的用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，所述密封圈(40)包含互相垂直的水平部(41)和竖直部(42)；所述竖直部(42)内部设置有供管件(20)贯穿通过的安装孔(43)。
3.根据权利要求2所述的用于真空共晶炉上的密封装置，其特征在于，所述竖直部(42)包含保温层(421)和包裹所述保温层(421)的膨胀圈(422)。
4.根据权利要求3所述的用...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓奎，
申请(专利权)人：力德派科智能装备无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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