【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，更具体的，涉及一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片。
技术介绍
1、带隙基准源是一种能够提供基准电压或基准电流的基础电路结构，因其具有的零温度系数、工艺对电路性能的影响极低等优点而被广泛的应用于高精度的比较器、数据转换器和其他模拟集成电路中。带隙基准源电路的性能直接影响着整个集成电路的性能。
2、然而，在对于高精度的带隙基准源进行应用的过程中，带隙基准源存在着不可忽视的晶体管漏电的问题。即便采用工艺上的改进，仍然难以完全克服晶体管的漏电。
3、具体来说，由于带隙基准源的基本远离是根据两条支路上晶体管数量或尺寸的不同来实现对晶体管负温度系数特性的抵消的，因而，两条支路上晶体管的数量或尺寸存在着必然的差异。而这种差异也会引发两条支路上晶体管的漏电程度存在不同，因此，两条支路上的晶体管漏电难以相互抵消。
4、针对上述问题，本专利技术提供了一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的不足，本专利技术的目的在于，提供一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片，通过在带隙基准源的晶体管集电极上接入额外的dummy管，从而克服电路的漏电不平衡。
2、本专利技术采用如下的技术方案。
3、本专利技术第一方面，涉及一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，方法为带隙基准源中的晶体管增加dummy三极管或dummy二极管，从而降低温度变化对晶体管的基极发射极电压差造成的影响
4、优选的，带隙基准源中包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管的数量为第一晶体管数量的n倍；dummy二极管或dummy三极管与带隙基准源中的第一晶体管的集电极连接，以平衡第一晶体管与第二晶体管之间的漏电差。
5、优选的，dummy三极管包括第一dummy三极管和第二dummy三极管；其中，第一dummy三极管的集电极与第一晶体管的集电极连接，基极、发射极均与第一晶体管的基极连接；第二dummy三极管的集电极与第二晶体管的集电极连接，基极、发射极均与第一晶体管的基极连接；其中，第一dummy三极管的数量为第二dummy三极管的数量的n倍。
6、优选的，dummy三极管与第一晶体管和第二晶体管采用相同的正方形版图实现。
7、优选的，dummy二极管的正极与带隙基准源中的第一晶体管的集电极连接，负极接地。
8、优选的，dummy二极管以隔离墙的形式在第一晶体管和第二晶体管所在的正方形版图的四周实现。
9、优选的，隔离墙的数量为4，分别与第一晶体管和第二晶体管所在的正方形版图的每条边临接设置，从而使得多个隔离墙相互垂直；隔离墙的一端与正方形版图的边缘对准，另一端则与邻接的另一个隔离墙的远离正方形版图的边缘对准。
10、优选的，隔离墙包括埋层、第一隔离区、第二隔离区、第一和第二n+注入区、第一和第二p+注入区；其中，埋层设置于芯片底部的衬底中；第一隔离区和第二隔离区分别设置在埋层两端的上方、第一和第二n+注入区的下方，并分别延伸至与第一和第二n+注入区临接；第一和第二n+注入区远离埋层的一侧的一段距离上分别设置有第一和第二p+注入区。
11、优选的，隔离墙的总面积与第一晶体管和第二晶体管的面积之差相等。
12、本专利技术第二方面，涉及一种克服带隙基准源中晶体管漏电的芯片，其芯片采用本专利技术第一方面中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法实现。
13、本专利技术的有益效果在于，与现有技术相比，本专利技术中的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片，能够通过在带隙基准源的晶体管集电极上接入额外的dummy管，从而克服电路的漏电不平衡。本专利技术结构简单、不影响现有电路，只从工艺上对漏电进行抵消，通过两种不同方式实现了芯片面积与性能之间的平衡，使得该方法能够根据需求适用于各种不同的带隙基准电路。
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1.一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
2.根据权利要求1中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
5.根据权利要求2中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
7.根据权利要求6中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
8.根据权利要求7中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
9.根据权利要求8中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
10.一种克服带隙基准源中晶体管漏电的芯片，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
2.根据权利要求1中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
5.根据权利要求2中所述的一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法，其特征在于：
...【专利技术属性】
技术研发人员：钟健，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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