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本发明涉及一种克服带隙基准源中晶体管漏电的方法及芯片，其特征在于：方法为所述带隙基准源中的晶体管增加dummy三极管或dummy二极管，从而降低温度变化对所述晶体管的基极发射极电压差造成的影响。本发明结构简单、不影响现有电路，只从工艺上对漏...
该专利属于圣邦微电子（北京）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圣邦微电子（北京）股份有限公司授权不得商用。

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