【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，特别是涉及一种线性图像传感器及制作方法和光刻掩膜版。
技术介绍
1、芯片的种类多种多样，例如处理器、图像传感器等，不管什么样的芯片，都会经过曝光多次显影处理。在图像传感器中，线性cmos图像传感器较为特殊，线性cmos图像传感器为“带”状的线性图像传感器，横向一般包含2k、4k、8k、16k个像素单元，而纵向却只有几个或几十个像素。
2、线性cmos图像传感器在工业检测、条码扫描、扫描仪、机器视觉等领域有着广泛的应用，例如，线性cmos图像传感器适合应用于复印机扫描元件、图像扫描仪、条码扫描器、用于视觉检查的线扫描相机(胶卷、印刷品、布等)、谷物筛选机以及银行终端的纸币识别系统等。
3、随着市场应用需求对线性cmos图像传感器分辨率、满阱容量以及感光等性能要求的提高，线性cmos图像传感器的尺寸越做越大，像素尺寸以及间距越做越小，但做小像素尺寸和像素间距会使得满阱容量和感光等性能下降，在很多应用场景下这是无法接受的。虽然，同时使用多个线性cmos图像传感器进行图像拼接可以在满足基本工作需求的情...
【技术保护点】
1.一种线性图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，进行所述第二次曝光后还包括步骤：
3.根据权利要求2所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜版至所述第N掩膜版为同一掩膜版。
4.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一预设距离小于或等于所述第一掩膜版在所述第一预设方向上的长度。
5.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
6.根据权利要求1所述的线性图像传感器的...
【技术特征摘要】
1.一种线性图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，进行所述第二次曝光后还包括步骤：
3.根据权利要求2所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜版至所述第n掩膜版为同一掩膜版。
4.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一预设距离小于或等于所述第一掩膜版在所述第一预设方向上的长度。
5.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
6.根据权利要求1所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底及形成在所述半导体衬底上的刻蚀掩膜层，其中：
7.根据权利要求6所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，在完成对所述半导体基底上所有所述芯片区域的曝光后，对所述刻蚀掩膜层进行显影处理。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，各掩膜版在所述第一预设方向上的两端分别设有第一对位标记图案以及与所述第一对位标记图案配合的第二位标记图案。
9.根据权利要求8所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，基于所述第一对位标记图案以及所述第二位标记图案在所述半导体基底上形成对应的第一对位标记和第二对位标记。
10.根据权利要求9所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述半导体基底包括刻蚀掩膜层，对所述刻蚀掩膜层进行曝光显影后，所述刻蚀掩膜层上形成与所述第一对位标记图案对应的所述第一对位标记以及与所述第二位标记图案对应的所述第二对位标记。
11.根据权利要求8所述的线性图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一对位标记图案呈块状，所述第二位标记图案呈环状，所述第一位标记图案的外缘尺寸小于所述第二对位标记图案的内缘尺寸；或者，所述第一对位标记图案呈环状，所述第二位标记图案呈...
【专利技术属性】
技术研发人员：周雁，王文轩，石文杰，徐辰，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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