非对称电压放电管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种非对称电压放电管及其制造方法。该制造方法包括：氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装等工序。其中，在离子注入工序中，分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源，并将离子源推深至预定深度。本发明专利技术一种非对称电压放电管及其制造方法通过在半导体晶片的正反面分别注入不同剂量的离子源，使得经过硼扩散后的半导体晶片ＰＮ结附近的杂质浓度不一致，从而使得半导体晶片正反面的击穿电压不一致，可以应用于输入输出端口浪涌电压不一致的芯片防护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放电管
，特别涉及一种。
技术介绍
用户线接口电路(SubscriberLine Interface Circuit, SLIC)芯片用于实现各 种用户线与交换机之间的连接。因为SLIC芯片对外界的干扰比较敏感，所以对SLIC芯片 相应的保护是必不可少的。现有的SLIC芯片的保护方法有三种。第一种保护方法采用可编程器件，例如可编 程晶闸管，以SLIC的最高电压为参考电压，当SLIC芯片的TIP/RING端口的电压超过触发 电压，则可编程晶闸管开始工作。第二种保护方法采用4颗单向放电管，分成两组，分别连 接在SLIC芯片的TIP/RING端口。第三种保护方法采用2颗双向放电管取代4颗单向放电 管，分别连接在SLIC芯片的TIP/RING端口。经专利技术人的研究发现，第一种方法虽然可以灵活有效的保护SLIC芯片，但是其防 浪涌能力低，成本高，而且需要外接电源对其进行供电；第二种方法虽然防浪涌能力高，不 需要外接电源，但是其成本高，且占用空间大；第三种方法虽然占用空间比第二种方法小， 但是SLIC芯片TIP/RING端的工作电压不一致，则其对称的双向放电管无法精细地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非对称电压放电管的制造方法，包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装等工序，其特征在于，在离子注入工序中，分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源，并将离子源推深至预定深度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏陈义，叶毓明，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]