【技术实现步骤摘要】
本申请属于校准参数读写,具体涉及一种校准参数读取方法、校准参数写入方法、校准参数读取装置、校准参数写入装置及电子设备。
技术介绍
1、现有的测试机通常将校准参数存储在电可擦只读存储器、非易失性存储器或本机文件中,并没有具体校准参数的具体管理方案。当校准参数的数据量较大时,通常存在存储和读取异常问题。例如电源管理单元的校准参数,测试机上电源管理单元的通道数会是多通道,拿m通道举例,若是每个通道又按照硬件链路电参数线性度差异,会给每个通道分段,比如分n段,这样每个校准项要m*n个校准参数,而且参数测量单元的校准项根据功能需要,也会很多,比如fv、mv、fi、mi和clamp等,比如校准项有k个,这样电源管理单元的要存m*n*k个校准参数。当校准参数的数据量较大时,为了保证测试机可靠的存储与解析数据,需要一套方案保证其可靠性。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种校准参数读取方法、校准参数写入方法、校准参数读取装置、校准参数写入装置及电子设备以解决校准参数读写可靠性差的问题。
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...【技术保护点】
1.一种校准参数读取方法,其特征在于,应用于上位机,以读取非易失性存储器中校准参数,所述非易失性存储器包括主存储区和备存储区,所述读取方法包括:
2.根据权利要求1所述的校准参数读取方法,其特征在于,所述校准参数包括PMU校准参数、level校准或时序校准参数;所述主存储区的头信息和所述备存储区的头信息均包括数据校验和、数据长度、区块数、电流档位、每一区块的通道数、校准分段数、校准版本号和数据有效标识。
3.根据权利要求2所述的校准参数读取方法,其特征在于,根据所述主存储区的头信息和所述备存储区的头信息分别与预设条件的比较结果,确定校准参数存储
...【技术特征摘要】
1.一种校准参数读取方法,其特征在于,应用于上位机,以读取非易失性存储器中校准参数,所述非易失性存储器包括主存储区和备存储区,所述读取方法包括:
2.根据权利要求1所述的校准参数读取方法,其特征在于,所述校准参数包括pmu校准参数、level校准或时序校准参数;所述主存储区的头信息和所述备存储区的头信息均包括数据校验和、数据长度、区块数、电流档位、每一区块的通道数、校准分段数、校准版本号和数据有效标识。
3.根据权利要求2所述的校准参数读取方法,其特征在于,根据所述主存储区的头信息和所述备存储区的头信息分别与预设条件的比较结果,确定校准参数存储区和校准参数的存储地址,包括:
4.根据权利要求3所述的校准参数读取方法,其特征在于,根据所述主存储区的校准版本号和所述备存储区的校准版本号,确定校准参数存储区,包括:
5.根据权利要求2所述的校准参数读取方法,其特征在于,基于所述校准参数存储区的头信息读出校准参数,包括:
6.一种校准参数写入方法,其特征在于,应...
【专利技术属性】
技术研发人员:安富,
申请(专利权)人:杭州长川科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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