芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构技术

本发明专利技术公开一种芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构，其中该芯片键合应力的测量方法包括下述步骤：先在第一芯片的第一表面形成一个辅助图案。再将第二芯片的第二表面与第一表面键合，用于形成至少一个围绕辅助图案的间隙空间。接着，分别测量此至少一个间隙空间和辅助图案的多个空间尺寸；并根据此多个空间尺寸来估计第一芯片和第二芯片之间的键合应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制作方法及其辅助结构，特别是涉及一种半导体芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构。

技术介绍

1、芯片键合技术是指将两片半导体芯片(例如，晶片)经清洗后贴合在一起，再经过高温退火处理，在二者的界面形成化学键的连接。目前已广泛应用于半导体电路制作工艺中，成为制备集成电路的复合材料加工及实现微机电结构(包括基板工程、集成电路布线、微机电系统(mems)和封装等技术)的重要手段。

2、在半导体制作工艺的芯片键合技术中，键合应力(粘接强度)是一个非常重要的制作工艺参数，是关系到制作工艺品质的重要一环。键合应力的强度不足容易导致，加工过程中会出现芯片剥离、破裂而导致元件失效的风险。因此，在实施芯片键合步骤之后，需要在对已键合的芯片结构进行键合应力的测量与检验，以确保制作工艺的良率和品质。

3、目前，较常被应用来测量键合应力有刃片端子强度(the plug blade terminalstrength)法(也称刀片法)，是采用刀片沿两个芯片之间的键合界面插入，通过观测断裂深度来估算芯片之间的键合强度。这种方法虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片键合辅助结构，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的芯片键合辅助结构，其中该辅助图案包括多个凸柱，该至少一间隙空间包括多个间隙空间，该多个凸柱的每一者，具有介于0.002平方毫米至0.03平方毫米的底面积以及介于50微米至100微米之间的高度；该多个间隙空间的每一者，具有介于500平方毫米至1000平方毫米的投影面积。

3.如权利要求2所述的芯片键合辅助结构，其中该多个凸柱的每一者是选自于圆柱体、圆锥体、多边柱状体、不规则形柱状体、或规则柱状体。

4.如权利要求2所述的芯片键合辅助结构，其中该多个间隙空间的每一者，仅围绕该多个凸柱中之一...

【技术特征摘要】

1.一种芯片键合辅助结构，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的芯片键合辅助结构，其中该辅助图案包括多个凸柱，该至少一间隙空间包括多个间隙空间，该多个凸柱的每一者，具有介于0.002平方毫米至0.03平方毫米的底面积以及介于50微米至100微米之间的高度；该多个间隙空间的每一者，具有介于500平方毫米至1000平方毫米的投影面积。

3.如权利要求2所述的芯片键合辅助结构，其中该多个凸柱的每一者是选自于圆柱体、圆锥体、多边柱状体、不规则形柱状体、或规则柱状体。

4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晟，冯健奇，赵昕，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：