一种线性驱动陶瓷封装结构制造技术

本技术涉及一种线性驱动陶瓷封装结构，其特点在于包括高导热陶瓷基板、导电组件、金属热沉层、绝缘封装层、至少一个驱动芯片，其中导电组件设置在高导热陶瓷基板上，并使导电组件的两端分别置于高导热陶瓷基板的上下表面上，所述金属热沉层设置在高导热陶瓷基板的底面上，所述驱动芯片布置在高导热陶瓷基板的顶面上，并使驱动芯片与导电组件电性连接，所述绝缘封装层设置在高导热陶瓷基板的顶面上，并使绝缘封装层覆盖在驱动芯片上。本技术具有结构简单、散热性能极好、使用性能好、使用寿命长、可靠性高、适用性强等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led驱动领域，特别是一种线性驱动封装结构。

技术介绍

1、目前，随着led灯珠不断发展和更新，现有led灯珠的功率也越来越大，随之而来会导致led驱动工作时的发热量越来越大。因现有led驱动大多采用以下结构：led驱动由散热基板、芯片、封装层、导电组件(包括固晶焊盘、电极焊盘、及固晶焊盘与电极焊盘之间的电连接件等)构成，导电组件设置在散热基板上，芯片设置在散热基板上，并使芯片连接在导电组件上，封装层设置在散热基板上，并使封装层遮盖在芯片上。在现有的led驱动上，芯片仅通过散热基板散热，且现有散热基板的散热作用十分有限，再加上其它构件的散热作用十分弱。所以现有led驱动的散热性能十分有限，已经无法满足大热量时的散热需求，这不仅会影响到led驱动的使用性能，还会影响到led驱动的使用寿命。因此，十分有必要设计一种能解决上述技术问题的线性驱动陶瓷封装结构。

技术实现思路

1、本技术的目的在于解决上述问题和不足，提供一种线性驱动陶瓷封装结构，该线性驱动陶瓷封装结构具有结构简单、散热性能极好、使用性能好、使用寿命长、可靠性高、适用性强等优点。

2、本技术的技术方案是这样实现的：

3、一种线性驱动陶瓷封装结构，其特点在于包括高导热陶瓷基板、导电组件、金属热沉层、绝缘封装层、至少一个驱动芯片，其中导电组件设置在高导热陶瓷基板上，并使导电组件的两端分别置于高导热陶瓷基板的上下表面上，所述金属热沉层设置在高导热陶瓷基板的底面上，所述驱动芯片布置在高导热陶瓷基板的顶面上，并使驱动芯片与导电组件电性连接，所述绝缘封装层设置在高导热陶瓷基板的顶面上，并使绝缘封装层覆盖在驱动芯片上。

4、优选地，所述导电组件包括固晶焊盘组件、电极焊盘组件、导体组件，所述导体组件竖向贯穿高导热陶瓷基板设置，所述固晶焊盘组件设置在高导热陶瓷基板的顶面上，并使固晶焊盘组件与导体组件的上端电性连接，所述电极焊盘组件设置在高导热陶瓷基板的底面上，并使电极焊盘组件与导体组件的下端电性连接，所述驱动芯片焊接固定在固晶焊盘组件上。

5、优选地，所述高导热陶瓷基板为氮化物陶瓷基板或金属化合物陶瓷基板。

6、优选地，所述电极焊盘组件为铜质焊盘组件。

7、优选地，所述绝缘封装层与高导热陶瓷基板之间设置有阻焊层，并使阻焊层位于固晶焊盘组件的上方，所述阻焊层上开设有竖向贯穿的安装孔，并使安装孔位于固晶焊盘组件的正上方，所述驱动芯片布置在安装孔中。

8、优选地，所述驱动芯片有若干个，各驱动芯片阵列并联在固晶焊盘组件上，并将各驱动芯片都倒装于高导热陶瓷基板的顶面上。

9、优选地，所述金属热沉层为铜热沉层。

10、优选地，所述金属热沉层覆盖的面积超过高导热陶瓷基板底面积的三分之二以上。

11、优选地，所述高导热陶瓷基板的长度l为6±0.15mm，所述高导热陶瓷基板的宽度b为3±0.15mm；所述金属热沉层的长度a为4.3±0.05mm，所述金属热沉层的宽度b为2.8±0.05mm。

12、优选地，所述绝缘封装层为emc塑封料层。

13、本技术的有益效果：在该线性驱动陶瓷封装结构中，采用了高导热陶瓷基板与金属热沉层。所述高导热陶瓷基板具有十分好的导热与散热作用，所述金属热沉层具有十分好的散热作用。通过高导热陶瓷基板能十分好地导出驱动芯片工作时的热量与向外散热，而金属热沉层能更进一步增强散热作用。再通过将驱动芯片与金属热沉层分别设置在高导热陶瓷基板的上下表面上。这样就能十分好地将驱动芯片产生的热量带走与向外散热，该线性驱动陶瓷封装结构的散热速度十分快，在用其驱动大功率的led灯珠时，能有效地避免驱动芯片出现过热的情况，该线性驱动陶瓷封装结构的散热性能极好，这不仅能保证该线性驱动陶瓷封装结构的使用性能十分好，还能大大延长线性驱动陶瓷封装结构的使用寿命，这能保证该线性驱动陶瓷封装结构具有十分高的可靠性与具有十分强的适用性。同时，该线性驱动陶瓷封装结构的整体结构还比较简单，其制造起来比较方便。

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【技术保护点】

1.一种线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：包括高导热陶瓷基板(1)、导电组件(2)、金属热沉层(3)、绝缘封装层(4)、至少一个驱动芯片(5)，其中导电组件(2)设置在高导热陶瓷基板(1)上，并使导电组件(2)的两端分别置于高导热陶瓷基板(1)的上下表面上，所述金属热沉层(3)设置在高导热陶瓷基板(1)的底面上，所述驱动芯片(5)布置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使驱动芯片(5)与导电组件(2)电性连接，所述绝缘封装层(4)设置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使绝缘封装层(4)覆盖在驱动芯片(5)上。

2.根据权利要求1所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述导电组件(2)包括固晶焊盘组件(21)、电极焊盘组件(22)、导体组件(23)，所述导体组件(23)竖向贯穿高导热陶瓷基板(1)设置，所述固晶焊盘组件(21)设置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使固晶焊盘组件(21)与导体组件(23)的上端电性连接，所述电极焊盘组件(22)设置在高导热陶瓷基板(1)的底面上，并使电极焊盘组件(22)与导体组件(23)的下端电性连接，所述驱动芯片(5)焊接固定在固晶焊盘组件(21)上。

3.根据权利要求1或2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述高导热陶瓷基板(1)为氮化物陶瓷基板或金属化合物陶瓷基板。

4.根据权利要求2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述电极焊盘组件(22)为铜质焊盘组件。

5.根据权利要求2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述绝缘封装层(4)与高导热陶瓷基板(1)之间设置有阻焊层(6)，并使阻焊层(6)位于固晶焊盘组件(21)的上方，所述阻焊层(6)上开设有竖向贯穿的安装孔(61)，并使安装孔(61)位于固晶焊盘组件(21)的正上方，所述驱动芯片(5)布置在安装孔(61)中。

6.根据权利要求2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述驱动芯片(5)有若干个，各驱动芯片(5)阵列并联在固晶焊盘组件(21)上，并将各驱动芯片(5)都倒装于高导热陶瓷基板(1)的顶面上。

7.根据权利要求1所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述金属热沉层(3)为铜热沉层。

8.根据权利要求1或7所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述金属热沉层(3)覆盖的面积超过高导热陶瓷基板(1)底面积的三分之二以上。

9.根据权利要求1所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述高导热陶瓷基板(1)的长度L为6±0.15mm，所述高导热陶瓷基板(1)的宽度B为3±0.15mm；所述金属热沉层(3)的长度a为4.3±0.05mm，所述金属热沉层(3)的宽度b为2.8±0.05mm。

10.根据权利要求1所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述绝缘封装层(4)为EMC塑封料层。

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【技术特征摘要】

1.一种线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：包括高导热陶瓷基板(1)、导电组件(2)、金属热沉层(3)、绝缘封装层(4)、至少一个驱动芯片(5)，其中导电组件(2)设置在高导热陶瓷基板(1)上，并使导电组件(2)的两端分别置于高导热陶瓷基板(1)的上下表面上，所述金属热沉层(3)设置在高导热陶瓷基板(1)的底面上，所述驱动芯片(5)布置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使驱动芯片(5)与导电组件(2)电性连接，所述绝缘封装层(4)设置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使绝缘封装层(4)覆盖在驱动芯片(5)上。

2.根据权利要求1所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述导电组件(2)包括固晶焊盘组件(21)、电极焊盘组件(22)、导体组件(23)，所述导体组件(23)竖向贯穿高导热陶瓷基板(1)设置，所述固晶焊盘组件(21)设置在高导热陶瓷基板(1)的顶面上，并使固晶焊盘组件(21)与导体组件(23)的上端电性连接，所述电极焊盘组件(22)设置在高导热陶瓷基板(1)的底面上，并使电极焊盘组件(22)与导体组件(23)的下端电性连接，所述驱动芯片(5)焊接固定在固晶焊盘组件(21)上。

3.根据权利要求1或2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：所述高导热陶瓷基板(1)为氮化物陶瓷基板或金属化合物陶瓷基板。

4.根据权利要求2所述线性驱动陶瓷封装结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛青坡，周盾生，
申请(专利权)人：广州汉擎智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：