System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种超宽带射频均衡器结构制造技术_技高网

一种超宽带射频均衡器结构制造技术

技术编号:39967944 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-09 00:33
本发明专利技术公开了一种超宽带射频均衡器结构,主要解决现有均衡器结构链路复杂,成本高的问题。该均衡器结构包括基板,设置于基板上用于实现高频谐振的耦合电路,与耦合电路相连用于实现高频响应的两路响应电路,以及与耦合电路相连用于实现均衡作用的输入均衡电路和输出均衡电路。通过上述设计,解决了超宽带微波射频难题,频率覆盖DC~27GHz,解决了低频下不去,高频上不去的技术瓶颈。本发明专利技术可实现均衡量的改变,均衡量范围覆盖1~10dB以上。可实现均衡频率的改变,改变范围覆盖DC~40GHz。本发明专利技术尺寸小巧,成本低廉,加工精度要求低,生产周期短,可广泛大量使用,实用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波通讯设备,具体地说,是涉及一种超宽带射频均衡器结构


技术介绍

1、随着微波通讯的发展,微波接收机、微波发射机对收发频段越来越宽。特别的,就宽带侦测机的侦测频率从以往的几百mhz增长到如今的几十ghz,频率宽度非常巨大。目前,已知的我国某型号侦测机频率范围就为1ghz~26.5ghz,该频率覆盖了l波段、s波段、c波段、x波段、ku波段、k波段。虽然侦测频率扩宽了,但超宽带频率也会带来一些严峻的问题。

2、首先,当频段覆盖1ghz~26.5ghz时,微波器件线性增益或损耗往往呈负斜率。微波低噪声放大器、驱动放大器等一般采用gaas工艺制成,在实现低噪声或高p-1db时,无法有效的采取适合均衡办法来实现超宽带的均衡效果,使得微波放大器随着频率的升高,增益逐步较低;限幅器、混频器、功分器、耦合器、数控衰减器等器件也由于频率特性的原因,使得损耗在低频时较低,高频时损耗较大。

3、其次,微波系统中,微波印制线路是必不可少的,复杂繁多的微波印制线路或带来较大的能量损失,特别是频率较高时。当频率跨度较宽时,低频损耗较低,高频损耗较大,使得印制线路的损耗呈负斜率。复杂的射频系统中,往往存在较多的射频互联线缆,射频电缆特性同抑制线路特性一样,损耗随频率升高呈现负斜率。

4、上述因素会造成的射频链路随频率升高呈现负斜率,如果不处理会逐级累加,使得后续链路随频率变化的功率差异较大,造成链路中各频点线性不一致。当宽带线性不一致时,就会降低系统的动态范围,极大的恶化系统的探测能力。因此在微波通讯系统中,就需要采用一些措施来均衡链路中功率斜率。在频率已知的情况下,通常可以采用数控衰减方式来整功率斜率;但在大多数场合中,频率信息无法获得,因此就必须采用均衡器来实现均衡效果。目前市面上的均衡器大多为窄带均衡器,频率范围一般为dc~4.4ghz,2~8ghz,6~18ghz,2~18ghz,18~40ghz,这些均衡器均无法满足1~27ghz频段的直接均衡。以往设计中,将1~27ghz开关滤波分为三段或四段来实现功率均衡,但会严重增加射频链路的复杂程度,带来巨大的成本浪费。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种超宽带射频均衡器结构,主要解决现有均衡器结构链路复杂,成本高的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:

3、一种超宽带射频均衡器结构,包括基板,设置于基板上用于实现高频谐振的耦合电路,与耦合电路相连用于实现高频响应的两路响应电路,以及与耦合电路相连用于实现均衡作用的输入均衡电路和输出均衡电路。

4、进一步地,在本专利技术中,所述耦合电路为变异的平行耦合电路。

5、进一步地,在本专利技术中,所述响应电路由电感和第一电阻构成;所述电感的一端与耦合电路相连,所述第一电阻与电感另一端相连。

6、进一步地,在本专利技术中,所述输入均衡电路包括实现输入匹配的输入带线,以及通过导电胶粘接在基板上并通过输入带线与耦合电路相连的第一电容和第二电阻;其中,所述第一电容和第二电阻通过金丝互联用于实现射频信号的传输。

7、进一步地,在本专利技术中,所述输出均衡电路包括实现输出匹配的输出带线,以及通过导电胶粘接在基板上并通过输出带线与耦合电路相连的第二电容和第三电阻;其中,所述第二电容和第三电阻通过金丝互联用于实现射频信号的传输。

8、进一步地,在本专利技术中,所述第一电容、第二电容均为高频特性芯片电容。

9、进一步地,在本专利技术中,所述第一电阻、第二电阻、第三电阻均为具有高频特性的薄膜电阻,工作频段覆盖dc~40ghz。

10、进一步地,在本专利技术中,所述基板采用陶瓷基板。

11、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:

12、(1)本专利技术通过薄膜工艺制成的薄膜电阻及芯片电容的使用,使得电阻、电容自谐振在40ghz以外,保证了工作频率范围内不受器件影响。

13、(2)本专利技术横向、轴向均为对称结构,采用电容、电阻并联实现阻容均衡,采用电感、电阻串联实现阻感均衡,采用耦合电路实现谐振均衡。多种均衡方式的嵌入实现了宽带dc~27ghz频率范围内5db均衡的实现

14、(3)本专利技术中,通过改变电阻、电阻可实现均衡量的改变,改变范围覆盖1~10db以上。

15、(4)本专利技术中,通过改变电容、电感可实现宽带均衡频率的改变,改变范围覆盖dc~40ghz。

16、(5)本专利技术尺寸小巧,成本低廉,加工精度要求低,生产周期短,可广泛大量使用,实用前景广阔。

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【技术保护点】

1.一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,包括基板(1),设置于基板(1)上用于实现高频谐振的耦合电路(2),与耦合电路(2)相连用于实现高频响应的两路响应电路(3),以及与耦合电路(2)相连用于实现均衡作用的输入均衡电路(4)和输出均衡电路(5)。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述耦合电路(2)为变异的平行耦合电路。

3.根据权利要求2所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述响应电路(3)由电感(6)和第一电阻(7)构成;所述电感(6)的一端与耦合电路(2)相连,所述第一电阻(7)与电感(6)另一端相连。

4.根据权利要求3所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述输入均衡电路(4)包括实现输入匹配的输入带线(8),以及通过导电胶粘接在基板(1)上并通过输入带线(8)与耦合电路(2)相连的第一电容(9)和第二电阻(10);其中,所述第一电容(9)和第二电阻(10)通过金丝(11)互联用于实现射频信号的传输。

5.根据权利要求4所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述输出均衡电路(5)包括实现输出匹配的输出带线(12),以及通过导电胶粘接在基板(1)上并通过输出带线(12)与耦合电路(2)相连的第二电容(13)和第三电阻(14);其中,所述第二电容(13)和第三电阻(14)通过金丝(11)互联用于实现射频信号的传输。

6.根据权利要求5所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述第一电容(9)、第二电容(13)均为高频特性芯片电容。

7.根据权利要求6所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述第一电阻(7)、第二电阻(10)、第三电阻(14)均为具有高频特性的薄膜电阻,工作频段覆盖DC~40GHz。

8.根据权利要求7所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述基板(1)采用陶瓷基板。

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【技术特征摘要】

1.一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,包括基板(1),设置于基板(1)上用于实现高频谐振的耦合电路(2),与耦合电路(2)相连用于实现高频响应的两路响应电路(3),以及与耦合电路(2)相连用于实现均衡作用的输入均衡电路(4)和输出均衡电路(5)。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述耦合电路(2)为变异的平行耦合电路。

3.根据权利要求2所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述响应电路(3)由电感(6)和第一电阻(7)构成;所述电感(6)的一端与耦合电路(2)相连,所述第一电阻(7)与电感(6)另一端相连。

4.根据权利要求3所述的一种超宽带射频均衡器结构,其特征在于,所述输入均衡电路(4)包括实现输入匹配的输入带线(8),以及通过导电胶粘接在基板(1)上并通过输入带线(8)与耦合电路(2)相连的第一电容(9)和第二电阻(10);其中,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:王欣罗盼
申请(专利权)人:成都世源频控技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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