【技术实现步骤摘要】
本公开提供了用于经由比较器指示电压极性的电路结构和相关方法。
技术介绍
1、许多集成电路(ic)架构包括用于处理模拟输入电压(例如，采取具有待处理的正分量和负分量的差分输入电压的形式)的部件。差分输入电压比其他类型的输入携带更多的信息，但可能需要大量附加的处理硬件。在模数(adc)转换器的示例中，正和负差分输入分量通常通过相应的数模(dac)转换器块的方式来处理，以将转换的数字位与采样的模拟电压进行比较。类似地，其他电路可以包括用于处理正和负输入电压的重复硬件。这样的硬件占据了相当大的表面区域。
技术实现思路
1、本公开的说明性方面旨在解决本文描述的问题和/或未讨论的其他问题。
2、本公开的实施例提供了一种电路结构，包括：数模转换器dac，其耦合到正差分电压、负差分电压和参考电压，其中，所述dac基于所述正差分电压、所述负差分电压和所述参考电压来生成输出；比较器，其具有耦合到所述dac输出和所述正差分电压中的一者的第一输入、以及耦合到所述参考电压和所述负差分电压中的一者的第二输入；以及多路复用器阵列，其耦合到所述比较器，并且被配置为响应于从控制逻辑发送到所述dac和所述多路复用器阵列的采样信号，选择以下中的一者：所述正差分电压和所述负差分电压用于发送到所述比较器，使得所述比较器输出差分电压极性；以及所述dac输出和所述参考电压用于发送到所述比较器，使得所述比较器输出所述dac输出的近似位。
3、本公开的其他实施例提供了一种电路结构，其包括：数模转换器dac，
4、本公开的附加实施例提供了一种用于将差分输入电压转换为数字输出的方法，所述方法包括：基于包括正差分电压、负差分电压和参考电压的一组输入经由dac生成输出；以及向所述dac和耦合在所述dac和比较器之间的多路复用器阵列发送采样信号，其中，所述采样信号使得所述多路复用器阵列选择以下中的一者：所述正差分电压和所述负差分电压用于发送到所述比较器，使得所述比较器输出差分电压极性；以及所述dac输出和所述参考电压用于发送到所述比较器，使得所述比较器输出所述dac输出的近似位。
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1.一种电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述控制逻辑被耦合到所述比较器的输出，并且被配置为将所述差分电压极性编码为用于所述近似位的附加位。
3.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述比较器被耦合到所述DAC以将所述差分电压极性发送到所述DAC。
4.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述采样信号通过所述DAC内的多个电容器的子集将所述正差分电压、所述负差分电压和所述参考电压中的一者耦合到所述多路复用器阵列。
5.根据权利要求4所述的电路结构，其中，所述DAC被配置为基于所述差分电压极性来反转所述多个电容器的电压极性。
6.根据权利要求1所述的电路结构，还包括：逐次逼近寄存器SAR逻辑，其具有耦合到所述比较器的所述输出的一组输入，其中，所述SAR逻辑被耦合到所述DAC以基于所述近似位来逼近一组附加位。
7.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器阵列包括：
8.一种电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述控制逻辑耦合到所述比较
10.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述比较器耦合到所述DAC以将所述差分电压极性发送到所述DAC。
11.根据权利要求10所述的电路结构，其中，所述采样信号通过所述DAC内的多个电容器的子集将所述正差分电压、所述负差分电压和所述参考电压中的一者耦合到所述多路复用器阵列。
12.根据权利要求11所述的电路结构，其中，所述DAC被配置为基于所述差分电压极性来反转所述多个电容器的电压极性。
13.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述SAR逻辑包括用于将所述差分电压极性、所述近似位和所述一组附加位作为数字字发送的输出。
14.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多路复用器阵列包括：
15.一种用于将差分输入电压转换为数字输出的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，还包括将所述差分电压极性编码为用于所述近似位的附加位。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述采样信号通过所述DAC内的多个电容器的子集将所述正差分电压、所述负差分电压和所述参考电压中的一者耦合到所述多路复用器阵列。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括基于所述差分电压极性来反转所述DAC内的所述多个电容器的电压极性。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述采样信号还使得所述DAC对附加的正差分电压和附加的负差分电压进行采样。
20.根据权利要求15所述的方法，还包括基于所述近似位和所述差分电压极性来逼近一组附加位。
...【技术特征摘要】
1.一种电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述控制逻辑被耦合到所述比较器的输出，并且被配置为将所述差分电压极性编码为用于所述近似位的附加位。
3.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述比较器被耦合到所述dac以将所述差分电压极性发送到所述dac。
4.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述采样信号通过所述dac内的多个电容器的子集将所述正差分电压、所述负差分电压和所述参考电压中的一者耦合到所述多路复用器阵列。
5.根据权利要求4所述的电路结构，其中，所述dac被配置为基于所述差分电压极性来反转所述多个电容器的电压极性。
6.根据权利要求1所述的电路结构，还包括：逐次逼近寄存器sar逻辑，其具有耦合到所述比较器的所述输出的一组输入，其中，所述sar逻辑被耦合到所述dac以基于所述近似位来逼近一组附加位。
7.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器阵列包括：
8.一种电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述控制逻辑耦合到所述比较器的输出，并且被配置为将所述差分电压极性编码为用于所述近似位的附加位。
10.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述比较器耦合到所述dac以将所述差分电压极性发送到所述dac。
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿西夫·伊克巴尔，桑米特拉·奈克，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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