【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种基板处理设备。
技术介绍
1、saps megasonic(空间交变相位移兆声波)技术采用高频(0.8～1.0mhz)交流电激励压电谐振器晶体产生兆声波，使基板表面附近产生薄的声学边界层，在溶液中形成压力振动以及超高频的高能量，从而有效的进行颗粒的去除。
2、saps megasonic技术的核心组件是兆声波发射装置，兆声波发射装置包括压电式传感器和声学共振器。在基板清洗工艺中，向基板表面喷洒化学液，兆声波发射装置位于基板表面的上方，会下降并浸入化学液内，压电式传感器通电后振动，声学共振器会将高频声能量传递到化学液中，由高频声能引起气穴振荡使得基板表面上的杂质颗粒等松动，以此去除基板表面上的污染物。此时，如图35所示，兆声波发射装置与化学液50’、基板40’形成平行电容，其中兆声波发射装置中的al2o3蓝宝石302’是绝缘体，压电式传感器可看作是上电极301’，上电极301’与射频电源303’连接，上电极301’和射频电源303’之间存在电阻，化学液50’和基板40’可看作是下电极。...
【技术保护点】
1.一种基板处理设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述静电导流组件固设于所述清洗装置的底部，并且所述静电导流组件接地；
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述静电导流组件包括连接端子和导线，所述连接端子和所述导线电性连接，所述连接端子固设于所述清洗装置的底部，所述导线接地。
4.如权利要求3所述的基板处理设备，其特征在于，所述连接端子的第一端贯穿所述清洗装置的底部并与清洗液电性连接，所述连接端子的第二端与所述导线连接。
5.如权利要求3所述的基板处理设备，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述静电导流组件固设于所述清洗装置的底部，并且所述静电导流组件接地；
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述静电导流组件包括连接端子和导线，所述连接端子和所述导线电性连接，所述连接端子固设于所述清洗装置的底部，所述导线接地。
4.如权利要求3所述的基板处理设备，其特征在于，所述连接端子的第一端贯穿所述清洗装置的底部并与清洗液电性连接，所述连接端子的第二端与所述导线连接。
5.如权利要求3所述的基板处理设备，其特征在于，所述连接端子贯穿所述清洗装置的底部，所述连接端子内设置空腔，所述导线穿过所述空腔与清洗液电性连接。
6.如权利要求4所述的基板处理设备，其特征在于，所述静电导流组件还包括防护件，所述防护件包覆所述连接端子的第二端，所述防护件设置有通线孔，所述导线穿过所述通线孔后接地。
7.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其特征在于，所述兆声波发射装置在基板的上方下降时，所述导电件的下表面先于或同时与所述兆声波发射装置的下表面接触到基板上表面的化学液，使得所述兆声波发射装置上的电荷通过化学液传导至所述导电件导走。
9.如权利要求8所述的基板处理设备，其特征在于，所述基板处理设备还包括第一悬臂，所述第一悬臂安装于所述兆声波发射装置的顶部；
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其特征在于，所述兆声波发射装置的形状呈三角形或馅饼形，所述兆声波发射装置具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，所述导电部与所述兆声波发射装置的所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第三侧壁中的至少其中之一接触或间隔设置。
11.如权利要求7～10任一项所述的基板处理设备，其特征在于，所述导电件的材料采用esd ptfe、esd peek、esd pctfe、esd etfe或esd pfa材料。
12.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，还包括：
13.如权利要求12所述的基板处理设备，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晖，刘阳，何西登，胡海波，张晓燕，陈福平，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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