【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个AMF脉冲具有不大于5毫泰斯拉(mT)的磁场。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个脉冲中的每一个都具有1ms至30秒的脉冲宽度。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述操作包括将所述多个AMF脉冲传递至所述金属植入物达至少30分钟的持续时间。
5.根据权利要求1所述的系统，其中：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述物理特性包括密度(kg/m^3)，导电性(S/m)，相对介电常数，或热导率(W/(m·K))，比热(J/(kg·K))中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述治疗特性包括剂量总数(Ndose)、每个脉冲的暴露时间长度(秒)(texp)、剂量的脉冲之间的时间长度(Δtexp)、每个剂量的AMF脉冲数(Nexp)、每个剂量的持续时间(小时)(给药持续时间或tdose)、两个剂量之间的固定时间间隔(分钟)(Δtdose)以允许金属植入物冷却、金属植入物的最大靶温度(摄氏度)(Tmax)中的至少一个。
8.
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述治疗特性包括3至50的Nexp、Ndose＝1至7和Δtdose＝10至30小时。
10.根据权利要求6所述的系统，其中：
11.根据权利要求10所述的系统，其中：
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作包括将所述多个AMF脉冲传递至所述金属植入物，以响应于所述多个脉冲中的每一个将所述金属植入物的表面上的温度升高小于10摄氏度，所述多个脉冲中的每一个具有小于1％的占空度和1ms至60秒的的周期。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作包括将所述多个AMF脉冲传递至所述金属植入物，以响应于所述多个脉冲中的每一个在所述金属植入物的表面上感应50至3000A/cm^2的电流，所述多个脉冲中的每一个具有小于1％的占空度和1ms至60秒的周期。
14.根据权利要求1所述的系统，包括至少一个传感器，其中所述操作包括：
15.根据权利要求14所述的系统，其中：
16.一种方法，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
18.根据权利要求17所述的方法，包括将所述多个AMF脉冲传递至所述金属植入物达至少30分钟的持续时间。
19.一种方法，包括：
20.根据权利要求19所述的方法，包括调整至少一个AMF参数以调整暴露以产生冷却时间，所述冷却时间被配置成下述两者：(a)允许在所述植入物表面上的治疗性的热剂量，和(b)避免导致过量的伴随的组织热剂量的增加，其中所述至少一个AMF参数包括所述植入物上的最高温度、对所述患者施加AMF脉冲的持续时间以及每暴露剂量的暴露数中的至少一个。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个amf脉冲具有不大于5毫泰斯拉(mt)的磁场。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个脉冲中的每一个都具有1ms至30秒的脉冲宽度。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述操作包括将所述多个amf脉冲传递至所述金属植入物达至少30分钟的持续时间。
5.根据权利要求1所述的系统，其中：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述物理特性包括密度(kg/m^3)，导电性(s/m)，相对介电常数，或热导率(w/(m·k))，比热(j/(kg·k))中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述治疗特性包括剂量总数(ndose)、每个脉冲的暴露时间长度(秒)(texp)、剂量的脉冲之间的时间长度(δtexp)、每个剂量的amf脉冲数(nexp)、每个剂量的持续时间(小时)(给药持续时间或tdose)、两个剂量之间的固定时间间隔(分钟)(δtdose)以允许金属植入物冷却、金属植入物的最大靶温度(摄氏度)(tmax)中的至少一个。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述治疗特性包括50至80℃的tmax、1至10分钟的δtexp、5至120分钟的tdose以及小于10秒的texp。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述治疗特性包括3至50的nexp、ndose＝1至7和δtdose＝10至30小时。
10.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·格林伯格，R·乔普拉，
申请(专利权)人：得克萨斯系统大学评议会，
类型：发明
国别省市：
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