【技术实现步骤摘要】
本技术涉及开关电路，尤其是一种可强制关机的程控开关机电路。
技术介绍
1、在现有技术中，为了防止用户误触开关机键导致设备误开机或关机，因此现有技术一般是通过加入开关机延时的方式来解决上述技术问题。
2、目前普遍运用的都是单个一体封装芯片加外围控制电路的方法，但是，一体式封装芯片，不仅成本较高，而且芯片不可编程，延迟时间不可调；而且一旦控制芯片失效，系统将无法关机，可靠性低；因此，现有设计不能满足低成本设计需求，且可靠性不够稳定。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供一种可强制关机的程控开关机电路。
2、本技术的技术方案为：一种可强制关机的程控开关机电路，包括pmos管q1和pmos管q2、三极管q3、开关按键s1、单片机、电容c1；
3、所述的开关按键s1的一端接地gnd，所述的开关按键s1的另一端通过二极管d8与单片机的key_int引脚连接；
4、所述的开关按键s1的另一端还经电阻r3与pmos管q1的源极连接，所述的pmos管q1的漏极经电阻r1接地gnd；
5、所述的pmos管q1的栅极经电阻r5与三极管q3的集电极连接，所述的三极管q3的基极经电阻r7与单片机的key_on引脚连接；所述的三极管q3的发射极接地gnd；
6、所述的pmos管q1的源极还经电阻r4、二极管d3、电阻r2与开关按键s1连接；
7、且所述的电阻r4、二极管d3之间还与pmos管q2的漏极连接，所述的p
8、所述的pmos管q2的栅极接单片机的key_power引脚，所述的pmos管q2的栅极与源极之间还连接有电容c1。
9、作为优选的，所述的pmos管q1的漏极还与电源输入端vin连接，所述的pmos管q1的源极还与电源输出端vout连接。
10、作为优选的，所述的三极管q3的基极与发射极之间还连接有电阻r6。
11、作为优选的，所述的单片机的key_power引脚经电阻r8与pmos管q2的栅极连接。
12、作为优选的，所述的单片机的key_power引脚经二极管d5与pmos管q2的栅极连接。
13、作为优选的，所述的单片机的型号为但不限于stm32f103c8t6。
14、作为优选的，所述的开关按键s1与电阻r3之间还与单片机的key_power引脚连接。
15、本技术的有益效果为：
16、1、本技术通过调节单片机检测key_int电平变化及key_on引脚电平变化的时间差来控制长按开关机的延迟时间；本技术通过检测按键是否按下，对应的控制三极管q3导通或关闭，实现开关机；当按键按下持续足够长时间后，q2导通，q1截止，系统强制关机；
17、2、本技术通过调节电容c1容值和电阻r8的阻值可设置强制关机的时间，本技术长按开关按键s1，电容c1通过r8电阻持续放电，pmos管q2的栅极电压降低到一定值后达到pmos管q2的导通阈值，q2导通，q1截止，系统强制断电关机；
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1.一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：包括PMOS管Q1和PMOS管Q2、三极管Q3、开关按键S1、单片机、电容C1；
2.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的PMOS管Q1的漏极还与电源输入端VIN连接，所述的PMOS管Q1的源极还与电源输出端Vout连接。
3.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的三极管Q3的基极与发射极之间还连接有电阻R6。
4.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的单片机的KEY_Power引脚经电阻R8与PMOS管Q2的栅极连接。
5.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的单片机的KEY_Power引脚经二极管D5与PMOS管Q2的栅极连接。
6.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的开关按键S1与电阻R3之间还与单片机的KEY_Power引脚连接。
7.根据权利要求6所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征
...【技术特征摘要】
1.一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：包括pmos管q1和pmos管q2、三极管q3、开关按键s1、单片机、电容c1；
2.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的pmos管q1的漏极还与电源输入端vin连接，所述的pmos管q1的源极还与电源输出端vout连接。
3.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在于：所述的三极管q3的基极与发射极之间还连接有电阻r6。
4.根据权利要求1所述的一种可强制关机的程控开关机电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷强，胡强，陈立新，陈林美，
申请(专利权)人：广州瑞多思医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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