【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
1、在对在基板上层叠有包含氧化膜或氮化膜、低介电常数绝缘体被膜(以下称为low-k膜)等的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工的情况下，由于功能层与基板在最佳加工方法方面不同，因此首先沿着分割预定线照射激光光线而将位于分割预定线的功能层去除，然后沿着分割预定线对基板进行加工而对晶片进行分割(例如，参照专利文献1、2)。
2、专利文献1：日本特开2015-079790号公报
3、专利文献2：日本特开2018-098318号公报
4、但是，已发现在该工艺中，在激光光线的照射后，由于其热影响，基板的特别是作为与功能层的界面的区域会变脆并形成变质的损伤区域。当在残留有该损伤区域的状态下将晶片分割而进行芯片化时，芯片的抗折强度降低，因此在去除损伤区域而在基板的界面形成凹部之后，沿着分割预定线对基板进行加工。但是，在去除产生在基板的与功能层的界面的损伤区域时，当挖掉基板而形成凹部时，成为在凹部的上方覆盖有功能层的状态，因此存在之后难以对基板进行加工的问题。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制对在基板上层叠有功能层的晶片进行加工而进行了芯片化时的芯片的抗折强度的降低。
2、根据本专利技术，提供晶片的加工方法，用于将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射激光光线而将该功能层去除，形成使
3、优选该基板加工步骤通过如下的等离子蚀刻来实施：利用侧面保护膜将去除了该损伤区域的该凹部和该加工槽的侧面覆盖而防止该凹部和该加工槽向水平方向扩大，并且继续挖掘该加工槽的底面。
4、优选该凹部露出步骤通过等离子蚀刻来实施。
5、优选该晶片的加工方法还具有如下的上表面保护膜形成步骤：在实施该加工槽形成步骤之前，在该功能层上形成上表面保护膜，在该加工槽形成步骤中，将该上表面保护膜和该功能层去除。
6、根据本专利技术，对在基板上层叠有功能层的晶片进行加工，能够抑制由损伤区域引起的进行了芯片化时的芯片的抗折强度的降低，并且还能够抑制凹部被蚀刻而向外侧扩大，由此，能够良好地进行基板的加工。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，用于将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，用于将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。