【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
1、在对在基板上层叠有包含氧化膜或氮化膜、低介电常数绝缘体被膜(以下称为low-k膜)等的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工的情况下，由于功能层与基板在最佳加工方法方面不同，因此首先沿着分割预定线照射激光光线而将位于分割预定线的功能层去除，然后沿着分割预定线对基板进行加工而对晶片进行分割(例如，参照专利文献1、2)。
2、专利文献1：日本特开2015-079790号公报
3、专利文献2：日本特开2018-098318号公报
4、但是，已发现在该工艺中，在激光光线的照射后，由于其热影响，基板的特别是作为与功能层的界面的区域会变脆并形成变质的损伤区域。当在残留有该损伤区域的状态下将晶片分割而进行芯片化时，芯片的抗折强度降低，因此在去除损伤区域而在基板的界面形成凹部之后，沿着分割预定线对基板进行加工。但是，在去除产生在基板的与功能层的界面的损伤区域时，当挖掉基板而形成凹部时，成为在凹部的上方覆盖有功能层的状态，因此存在之后难以对基板进行加工的问题。
【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，用于将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，用于将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加...
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