显示背板、其制备方法及具有其的显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示背板、其制备方法及具有其的显示装置。其中，显示背板包括：衬底基板和设置于所述衬底基板的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括第一栅极、有源层和第一源漏极。所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管还包括接触层，所述接触层的材料为具有高功函数值的金属或金属氧化物；所述接触层设置在所述第一源漏极与所述第一栅极之间或所述接触层设置在所述第一源漏极与所述有源层之间。能够使得驱动薄膜晶体管中第一源漏极与所述有源层接触类型为肖特基接触类型，这样电子从第一源漏极中的源极进入有源层需要克服势垒，驱动薄膜晶体管会具有较低的饱和电压，能够降低显示背板的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示装置，尤其涉及一种显示背板、其制备方法及具有其的显示装置。

技术介绍

1、显示背板中通常采用非晶硅(a-si)材质的薄膜晶体管，随着技术的发展，显示基板中出现了采用氧化物半导体的薄膜晶体管。氧化物半导体技术可以实现成本及性能的提升，有利于推出低成本的显示产品。

2、显示背板的功耗的降低，对于显示背板的应用具有重要的意义。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示背板、其制备方法及具有其的显示装置。

2、基于上述目的，本申请提供了一种显示背板，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括第一栅极、有源层和第一源漏极；

3、所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管还包括接触层，所述接触层的材料为具有高功函数值的金属或金属氧化物；所述接触层设置在所述第一源漏极与所述第一栅极之间或所述接触层设置在所述第一源漏极与所述有源层之间。

4、在其中一些实施例中，所述接触层设置在所述第一源漏极与所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示背板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括第一栅极、有源层和第一源漏极；

2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述接触层设置在所述第一源漏极与所述第一栅极之间；在远离衬底基板的方向上，所述第一栅极、所述接触层、所述有源层和所述第一源漏极层叠设置；

3.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层与所述第一栅极之间的第二栅极绝缘层、第二栅极和层间介质层，所述第二栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述接触层的一侧；所述第二栅极设置在所述第二栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述...

【技术特征摘要】

1.一种显示背板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括第一栅极、有源层和第一源漏极；

2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述接触层设置在所述第一源漏极与所述第一栅极之间；在远离衬底基板的方向上，所述第一栅极、所述接触层、所述有源层和所述第一源漏极层叠设置；

3.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层与所述第一栅极之间的第二栅极绝缘层、第二栅极和层间介质层，所述第二栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述接触层的一侧；所述第二栅极设置在所述第二栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述层间介质层设置在所述第二栅极远离所述第二栅极绝缘层的一侧；

4.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述接触层设置在所述第一源漏极与所述有源层之间；在所述驱动薄膜晶体管中，在远离衬底基板的方向上，所述有源层、所述接触层和所述第一源漏极层叠设置；

5.根据权利要求4所述的显示背板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述衬底基板一侧的第二栅极绝缘层和第二栅极；

6.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，在所述驱动薄膜晶体管中，所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述第一源漏极在所述衬底基板的正投影部分重叠，所述有源层中不与所述第一源漏极重叠的区域为通过导体化处理形成的导体化区域。

7.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，所述有源层包括沟道区域和设置在所述沟道区域两侧的源漏连接区域；所述接触层设置在所述第一源漏极与所述有源层之间；所述接触层在所述衬底基板的正投影与所述源漏连接区在所述衬底基板的正投影重叠；所述导体化区域为所述沟道区域。

8.根据权利要求7所述的显示背板，其特征在于，所述接触层复用为所述第一源漏极；在驱动薄膜晶体管中，在远离所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李然，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：