【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
1、目前有源矩阵电致发光显示产品(amoled)正向着高清、大尺寸和高刷新频率进行。这就对amoled驱动电路的晶体管(tft)性能有了更高的要求。目前用于amoled驱动电路的tft结构主要有蚀阻挡层结构(esl)、顶栅结构(top gate)、背沟道刻蚀结构(bce)。其中top gate结构的栅极与源漏极间无重叠,因此能够有效的降低寄生电容,且刷新频率更好,尺寸更小,更能满足amoled发展的需要,故top gate结构是研发的一个重点方向。
2、然而,相关技术的top gate结构中,为了降低短沟道效应的影响,通常要保证绝缘层覆盖包括栅极的栅金属层(gate)。其中,在覆盖栅极的区域,绝缘层会形成凸起形貌,易出现褶皱现象。折皱会影响到上层的导电结构,使在扫描线与数据线的交叠区域造成扫描线和数据线短接(dgs)不良。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种数据线与扫描线不易短接的阵列基板、显示面
...【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段包括对半导体层掺杂形成的导体段。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段在所述第二方向上的长度为所述数据线宽度的3-6倍。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段在所述第二方向上的长度大于等于15μm小于等于20μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当相邻的两根所述数据线间的间距小于等于6μm时,所述相邻的两根数据线及两根数据线之间的区域在所述第三方向上的投影
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段包括对半导体层掺杂形成的导体段。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段在所述第二方向上的长度为所述数据线宽度的3-6倍。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二扫描线段在所述第二方向上的长度大于等于15μm小于等于20μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当相邻的两根所述数据线间的间距小于等于6μm时,所述相邻的两根数据线及两根数据线之间的区域在所述第三方向上的投影与所述第二扫描线段交叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层与所述第一导电层之间设置有第一栅绝缘层,所述第一导电层与所述第二导电层之间设置有第二栅绝缘层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层与所述第一导电层之间设置有第一栅绝缘层以及第二栅绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪军,刘军,王海涛,苏同上,黄勇潮,成军,方金钢,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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