靶材原位监控方法、系统、计算机设备和存储介质技术方案

本申请涉及一种靶材原位监控方法、系统、计算机设备和存储介质，将靶材和溅射设备首次配合使用时采集到的电压电流参数和靶材厚度间的对应关系进行记录，建立监测反馈机制。靶材原位监控方法包括：在溅射设备中建立自检程序，所述自检程序包括依次进行的多个沉积阶段，多个沉积阶段的溅射功率互不相同；在所述靶材和所述溅射设备配合使用的过程中，当需要对所述靶材的厚度进行检测时，启动所述溅射设备执行所述自检程序，在分别获取到多个所述沉积阶段的电压电流参数后，根据该多个所述沉积阶段的电压电流参数和电压电流参数与靶材厚度的对应关系确定所述靶材的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及磁控溅射，特别是涉及靶材原位监控方法、系统、计算机设备和存储介质。

技术介绍

1、磁控溅射，是物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)的一种，也是半导体芯片制备领域应用最广泛的薄膜沉积方法之一。它的基本原理是在高真空下，利用电场将ar、kr、xe等大质量气体分子电离，阳离子被电场加速后将靶材原子轰击到晶圆上不断累积形成薄膜。磁控溅射通过在阴极靶表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的束缚来提高离化率(即等离子体的密度)以增加沉积速率。

2、在磁控溅射系统中，靶材的使用方法是一项直接影响沉积薄膜质量的关键因素。由于溅射工艺的持续进行，靶材会在等离子体的轰击下逐渐减薄，直至被打穿，所以为了保持工艺稳定性，使用过程中需要在靶材被打穿前更换靶材。过早更换会造成靶材浪费，增加镀膜成本；过晚更换又有靶材击穿，背板材料污染晶圆或腔体的风险。因而对磁控溅射系统中的靶材厚度进行有效监测是十分必要的。

技术实现思路

1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种靶材原位监控方法、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种靶材原位监控方法，其特征在于，所述靶材原位监控方法包括：

2.根据权利要求1所述的靶材原位监控方法，其特征在于，所述电压电流参数与靶材厚度的对应关系的获取方法包括：当靶材和所述溅射设备首次配合使用时，启动所述溅射设备，执行所述自检程序对所述靶材进行溅射处理；当所述靶材的厚度损耗程度为第一设置范围时，获取所述自检程序执行过程中电压电流参数和所述靶材的厚度，得到电压电流参数与靶材厚度的对应关系。

3.根据权利要求1所述的靶材原位监控方法，其特征在于，在所述靶材和所述溅射设备配合使用的过程中，当所述靶材的厚度损耗程度处于第一预设范围时，启动所述溅射设备执行所述自...

【技术特征摘要】

1.一种靶材原位监控方法，其特征在于，所述靶材原位监控方法包括：

2.根据权利要求1所述的靶材原位监控方法，其特征在于，所述电压电流参数与靶材厚度的对应关系的获取方法包括：当靶材和所述溅射设备首次配合使用时，启动所述溅射设备，执行所述自检程序对所述靶材进行溅射处理；当所述靶材的厚度损耗程度为第一设置范围时，获取所述自检程序执行过程中电压电流参数和所述靶材的厚度，得到电压电流参数与靶材厚度的对应关系。

3.根据权利要求1所述的靶材原位监控方法，其特征在于，在所述靶材和所述溅射设备配合使用的过程中，当所述靶材的厚度损耗程度处于第一预设范围时，启动所述溅射设备执行所述自检程序。

4.根据权利要求3所述的靶材原位监控方法，其特征在于，所述第一预设范围为不小于70％，和/或，不大于95％。

5.根据权利要求3所述的靶材原位监控方法，其特征在于，当所述靶材的厚度损耗程度处于第一预设范围时，每隔第一设定时间启动所述溅射设备执行所述自检程序；和/或，按照预设时间启动所述溅射设备执行所述自检程序；和/或，多次启动所述溅射设备执行所述自检程序。

6.根据权利要求3所述的靶材原位监控方法，其特征在于，当所述靶材的厚度损耗程度大于第一预设范围时，阻止晶圆进入所述溅射设备的制程腔室进行溅射处理。

7.根据权利要求6所述的靶材原位监控方法，其特征在于，当所述靶材的厚度损耗程度为第二预设范围，所述第二预设范围大于所述第一预设范围且不大于97％时，对所述靶材进行至少一次黏附处理直至所述靶材的厚度损耗程度为97％。

8.根据权利要求7所述的靶材原位监控方法，其特征在于，当所述靶材的厚度损耗程度为第三预设范围，所述第三预设范围大于97％时，将所述靶材进行报废处理。

9.根据权利要求7所述的靶材原位监控方法，其特征在于，当所述靶材的厚度损耗程度为第三预设范围，所述第三预设范围大于所述第二预设范围时，进行提示动作。

10.根据权利要求1所述的靶材原位监控方法，其特征在于，多个所述沉积阶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：