进气结构及热炉制造技术

本技术属于光伏与半导体制造技术领域，公开了一种进气结构及热炉，该进气结构包括至少两组进气管，进气管为直通管，进气管的一端伸入炉管中，进气管设置有至少一组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔构成，气流通过出气孔散布。该进气结构采用直通管以及出气孔的设置，多个出气孔沿进气管的轴向分布，使氧气一部分通过直通管的管口进入到炉管内，一部分通过出气孔以喷淋的形式进入到炉管内，对温度较低的氧气进行分流，避免大量较冷的氧气直接通入炉管，降低冷气对炉管内温度的干扰，从而减少对工艺的影响。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏与半导体制造，尤其涉及一种进气结构及热炉。

技术介绍

1、二氧化硅薄膜在半导体和太阳能电池领域被广泛应用，不仅可作为扩散掺杂的掩蔽层，有效降低表面掺杂死层复合，同时也提供了良好的表面钝化性能，极大降低了界面的陷阱复合；

2、硅片氧化技术是在硅片表面生长一层优质的二氧化硅薄膜，目前制备sio2膜可分为：热氧化，pecvd沉积法，室温湿法氧化三种方式，其中由于热氧化制备的si-sio2薄膜在太阳能电池中表现出非常好的钝化特性，故在高效电池中得到广泛应用。

3、硅片氧化需要通入氧气，而传统常规进气方式为炉口或炉尾直接通入氧气，大量温度较低的气体通入，对炉管内温度影响较大，然而而氧化层生长对温度较为敏感。从而对氧化层的均匀性产生不利影响，从而直接对电池产品性能带来不利影响。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种进气结构及热炉，避免温度较低的气体直接大量输入而对炉管内温度的影响。

2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：

3、进气结构，包括；

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【技术保护点】

1.进气结构，其特征在于，包括；

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，位于同一所述进气管(2)上的所述第一出气孔(31)与所述第二出气孔(32)一一对应，相对应的所述第一出气孔(31)与所述第二出气孔(32)位于所述进气管(2)的同一圆周线上。

3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述第一出气孔(31)的中心轴线与其位于同一圆周线上的所述第二出气孔(32)的中心轴线所成角度为90°-180°。

4.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述第一出气孔(31)与所述第二出气孔(32)的直径均为1mm-1.5mm。

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【技术特征摘要】

1.进气结构，其特征在于，包括；

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，位于同一所述进气管(2)上的所述第一出气孔(31)与所述第二出气孔(32)一一对应，相对应的所述第一出气孔(31)与所述第二出气孔(32)位于所述进气管(2)的同一圆周线上。

3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述第一出气孔(31)的中心轴线与其位于同一圆周线上的所述第二出气孔(32)的中心轴线所成角度为90°-180°。

4.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，毛文龙，范伟，卢佳，梁笑，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：