一种电泵浦拓扑光子晶体激光器结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体激光器技术领域，具体公开一种电泵浦拓扑光子晶体激光器结构及其制备方法，该激光器通过在p型包覆层、p型折射率渐变层和p型接触层中设置光子晶体，光子晶体包括多个拓扑态光子晶体和多个拓扑平庸态光子晶体，多个拓扑态光子晶体和多个拓扑平庸态光子晶体均排列成蜂窝状，每个拓扑态光子晶体和每个拓扑平庸态光子晶体内均设置有多个圆形纳米孔，多个圆形纳米孔以拓扑态光子晶体或所述拓扑平庸态光子晶体的几何中心环形阵列布设，相邻的拓扑态光子晶体和拓扑平庸态光子晶体连接并在连接处形成边界，边界内区域形成激光腔；光子晶体与ITO层接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，特别涉及一种电泵浦拓扑光子晶体激光器结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着半导体激光器的发展，其波长范围、功率等都在迅速提高，产品的种类也更加丰富。拓扑光子晶体激光器也开始发展起来，具有低阈值、窄线宽、高方向性、单模垂直激光出射等优点。

2、2019年底，北京大学马仁敏团队构建了一种基于能带反转光场限制效应的拓扑体态激光器，其核心是构建拓扑光子晶体，包括拓扑态光子晶体和拓扑平庸态光子晶体。拓扑态光子晶体和拓扑平庸态光子晶体都是以相同晶格常数周期性地排列成蜂窝状，每个晶胞都是正六边形结构，其内部有六个旋转对称的正三角形孔洞。当拓扑态的光子晶体和拓扑平庸态的光子晶体拼接在一起形成边界时，由于波函数的奇偶对称性不同，在gamma附近的光子无法从拓扑态光子晶体传播到拓扑平庸态光子晶体，反之成立。把这种边界围成闭合的曲线，gamma点附近的光子便在边界内来回反射，形成一个激光腔。但该方法中的光子晶体中的三角形孔洞对工艺精度要求很高，实际工艺会造成变形，无法实现很好的光场限制，所以该技术也只是基于该结构构造实现了光泵浦激光器，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：包括自下至上设置的衬底、n型折射率渐变层、n型包覆层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型包覆层、p型折射率渐变层、p型接触层以及ITO层；

2.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述衬底为GaAs衬底。

3.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述n型折射率渐变层为n型折射率渐变层AlxGa1-xAs，其中x为0-0.4。

4.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述n型限制层为n型InGaAs限制层。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：包括自下至上设置的衬底、n型折射率渐变层、n型包覆层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型包覆层、p型折射率渐变层、p型接触层以及ito层；

2.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述衬底为gaas衬底。

3.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述n型折射率渐变层为n型折射率渐变层alxga1-xas，其中x为0-0.4。

4.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述n型限制层为n型ingaas限制层。

5.根据权利要求1所述的电泵浦拓扑光子晶体激光器结构，其特征在于：所述有源层为含多对ingaas/gaas...

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠，梁衍杰，冯健，钟础宇，陈钊，苗威，王彬，
申请(专利权)人：深圳技术大学，
类型：发明
国别省市：